Расщепление кристалла

Как видно из рис. V-5, на котором приведена элементарная ячейка алмаза, при расщеплении кристалла по плоскости, параллельной плоскости (И1)> разрываются три связи. Зная расстояние между плоскостями (111) (2,32 А) и плотность алмаза (3,51 г/см ), находим, что число связей, приходящихся на 1 см , составляет 1,83-10 и, поскольку энергия связей в алмазе равна 90 ккал/моль, поверхностная энергия плоскости (111) равна 5650 эрг/см . Для плоскости (100) такой же расчет дает величину 9820 эрг/см . Температура кристалла, изображенного на рис. V-3, равна ОК, поэтому полученные значения соответствуют также свободной поверхностной энергии плоскостей (100) и (111) при этой температуре. [c.207]

Обладает хорошей электро- и теплопроводностью, пластичностью. Вследствие легкости расщепления кристаллов графита ио спайности блоки имеют разную твердость [c.42]

Всего легче экспериментально изучать процессы, сопровождающие нарушение контакта однородных тел, при расщеплении кристаллов, например слюды, а нарушение контакта разнородных тел — при отслаивании эластичных пленок от твердых подложек. В обоих случаях результаты испытаний дают значения удельной работы отрыва, а не силы при зтом, как правило, процесс отслаивания идет существенно неравновесно. Случай контакта разнородных фаз приводит, как отметил еще Гельмгольц, к образованию двойного электрического слоя. [c.391]

Рост грани (001) осуществляется различной высоты макроступенями, которые имеют разные скорости распространения. Характер такой ступенчатой поверхности иллюстрируется рис. 17. Когда средняя высота ступеней достигает значения, отвечающего потере устойчивости торца ступени, начинается массовое образование включений. По мере увеличения кристалла включения образуются сначала в центральных участках грани, потом занятая ими область расширяется и возникают заполненные включениями пирамиды роста. В условиях большого переохлаждения и в присутствии примесей по грани (001) возможно расщепление кристалла, т. е. возникновение грани типа вицинальной, которая имеет ориентацию, отличающуюся от (001), и в дальнейшем растет самостоятельно. [c.42]

Рис. 56. Расщепление кристалла кварца вдоль границ секторов <с>/

Если ИСХОДИТЬ из механической модели кристаллитов, то можно ожидать, что параметр решетки для небольших металлических частиц меньше, чем для массивного металла, из-за поверхностного натяжения, сжимающего частицы. Однако проверить это экспериментально нелегко, так как на дифракционные картины существенно влияет уширение линий. Тем не менее для пленок, напыленных в СВВ, методом электронографии показано уменьшение параметра решетки на 0,26% для золота [18] и на 0,70% для серебра [19], что связано с величиной их поверхностного натяжения, равного 1,175 и 1,415 Н/м соответственно. Опубликованы также данные [20—22] о форме и структуре ультратонких пленок платины, никеля, палладия, золота и серебра, напыленных в СВВ на расщепленные кристаллы слюды при 370—770 К в таких условиях, когда образуются относительно большие кристаллиты (диаметром 5—20 нм). [c.260]

Теперь необходимо понять, почему электроны в таких системах распределяются по -орбитам различным образом. Прежде всего нужно признать, что распределение электронов определяется двумя факторами. Во-первых, в соответствии с правилом Хунда электроны стремятся остаться неспаренными. Чтобы заставить электроны спариться, требуется энергия, достаточная для преодоления сил отталкивания двух электронов, занимающих одну и ту же орбиту. Во-вторых, в кристаллическом поле -электроны стремятся занять орбиты с низкими значениями энергии и, таким образом, избежать, насколько возможно, отталкивающего действия лигандов. Если устойчивость, достигнутая таким образом (А), достаточно велика, чтобы преодолеть потерю устойчивости при спаривании электронов, последние соединятся и в результате получится комплекс низкоспинового типа. Когда расщепление кристалли- [c.54]

Борная кислота. Кислоту В(ОН)з можно получить из боратов или гидролизом галогенидов бора в виде белых игольчатых кристаллов. Субъединицы В(ОН)з связаны друг с другом водородными связями и образуют бесконечные слои с симметрией, близкой к гексагональной. Эти слои отстоят друг от друга на 3,18 А, что и объясняет легкость расщепления кристаллов. [c.278]

Этот метод дает довольно точные значения и позволяет поддерживать определенные условия опыта (температуру, состав газовой атмосферы, реальную структуру). Метод основан на том, что определяется работа, которая необходима для расщепления кристалла, т. е. для образования двух новых поверхностей. Схема метода раскалывания представлена на рис. 12.2. Поверхностную энергию можно вычислить из соотнощения [c.259]

Для полностью ориентированных срастаний щелочных галогенидов [грани (100)] с напыленными металлическими слоями можно экспериментально определить критические температуры, которые решающим образом зависят от наличия адсорбционных пленок. Нри расщеплении кристалла на воздухе ориентация первых зародышей сильно нарушается из-за присутствия адсорбированных слоев. Так как кубические грани металлических кристаллов осаждаются параллельно ребрам подложки, можно сформулировать такой закон срастания (100), II (100) [100] [100]п, где индексы К и П относятся к элементам кристалла подложки (носителя) и примеси. [c.338]

Рнс. 7. Вероятные типы структур галогенидов д) МХз и б) МХ . В а) атомы М и X связаны в бесконечный строй и расщепление кристалла вызывает разрыв связей М — X (тонкие сплошные липни) в дополнение к связям X — X (пунктирные линии). В б) существуют отдельные молекулы 1МХ , для разделения которых нужно разорвать только слабые связи X — X [c.79]

Расщепление кристаллов мусковита. Аутогезионное соединение. [c.72]

В большинстве мессбауэровских экспериментов исследуемое вещество является поглотителем, содержащим резонансный изотоп в основном состоянии. Источник выбирается таким образом, чтобы получить по возможности более узкую линию испускания. Для источника легко определить условия, при выполнении которых можно в принципе найти естественную ширину линии. Для того чтобы избежать квадрупольного расщепления, материнский изотоп должен размещаться в узле кубической решетки, причем структура решетки должна подходить и для дочернего изотопа. Чтобы избежать магнитного сверхтонкого расщепления, кристалл должен быть парамагнитным и иметь малое время спиновой релаксации. И наконец, обычно считается желательным использовать металл в качестве матрицы, так как тогда любое возмущение электронных оболочек за счет ядерного превращения, которое предшествует испусканию у-лучей, исчезнет за время электронной релаксации . [c.483]

Методы измерения поверхностной энергии разделяют на статические и динамические. Статическими методами измеряют поверхностную энергию практически неподвижных плоскостей при этом измерение выполняют при достижении равновесного состояния системы. К ним относятся методы нейтральной капли, расщепления кристалла, нулевой ползучести и др. [c.27]

У треххлористого титана обнаружено существование четырех форм а, р, у, Ь [15]. Для полимеризации наибольший интерес представляют фиолетовые а-, у и б-модификации, причем промышленное значение пока имеет лишь а-форма, для которой характерна структура слоистой решетки. Отдельные слои образуют регоетчатые плоскости, занятые катионами титана, к которым по обеим сторонам прилегают две плоскости, занятые хлорид-аннонами. Вдоль этих слоев легко происходит расщепление кристаллов. Упаковка атомов в решетке показана на рис. 3.1. [c.26]

Индивцдуальные энантиоморфные формы - энантиомеры - отличаются знаком оптич. вращения. При кристаллизации они дают рацемич. соед., твердые р-ры либо рацемич. смесь - конгломерат (см. Рацематы). Т-ра плавления конгломерата ниже т-ры плавления чистых энантиомеров (на диаграмме плавления - эвтектич. минимум). Часто энантиоморфные кристаллы можно различить визуально и даже разделить их вручную. В 1848 Л. Пастер впервые вручную под микроскопом разделил энантиоморфные кристаллы тартрата натрия-аммония. Совр. пример мех. разделения энантио-морфных кристаллов - расщепление кристаллов гептагели-цена. С помощью энантиоморфных кристаллов, гл. обр. оптически активного кварца, можно осуществить абсолютный асимметрический синтез. [c.480]

Проверявшие синтез установили, что по крайней мере часть окрашенных примесей представляет собой кристалл-виолет. Имеются указания, что под действием перекиси водорода в щелочном растворе происходит расщепление кристалл-виолета н-а N, N-диметиланилин и кетон Михлера . [c.33]

Первая стадия представляет собой полное расщепление кристалла на газообразные ионы, сопровождающееся увеличением теплосодержания, равным энергии решетки. Второй стадией является нейтрализация металлического иона присоединениелг к нему электрона, третьей — нейтрализация иона галогена путем отрыва электрона. Увеличение энергнп в процессе нейтрализации иона металла равно — V e, где — первый понизацпонный потенциал (гл. П1 и V). [c.495]

Рнс. 56. Расщепление кристалла кварца вдоль границ секторов <с>/ <-Ь > и <-l-s>/<-fs > а — боковое освещение б -- тот же пре-парат после 7 Облучення [c.167]

Примеси в расплаве ответственны за появление дислокаций, расщепление кристаллов во время роста, дендритный и блочномозаичный рост, деформацию кристаллов и т. д. Обособление примесей в кристаллах при росте приводит к появлению различных включений, источниками которых служат примеси из шихты, растворенные газы, материал контейнера, инородные кристаллофазы, остаточный фторидный расплав. Особенно богаты включениями кристаллы фторфлогопита, полученные при гетерогенной кристаллизации расплава из шихты на основе природного калиевого полевого шпата. Содержимое включений в момент захвата в кристаллы слюды представлено самыми различными фазами. [c.45]

В качестве изоморфных примесей в природном цирконе могут присутствовать небольшие количества самых разнообразных элементов (U, Th, 2TR, Nb, Са, Mg, Мп, Fe, Ti, Р, Al, Se, Na и др.). Циркон представляет определенный структурный тип, к которому принадлежат силикаты торит ThSi04 и коффинит USi04. Из TR наиболее часто встречаются в цирконах иттербий, лантан, лютеций, иттрий, реже — тулий, эрбий, гольмий, диспрозий, гадолиний. Содержание TR колеблется от сотых долей процента до нескольких процентов. Гафний, постоянно присутствующий во всех цирконах как изоморфная примесь, чрезвычайно близок к цирконию по своим кристаллохимическим свойствам. Однако существует определенный предел в относительном содержании Hf в цирконе (отношение Zr/Hf<20), выше которого происходит расщепление кристаллов. У цирконов, содержащих гафний, повышается показатель преломления и увеличивается плотность. [c.237]

Поскольку пластическая деформация возникает одновременно с ростом, образующиеся в ходе деформации микроблоки, выходящие на поверхность кристалла, могут начать расти самостоятельно за счет собственных центров роста, давая субиндивиды в теле основного кристалла (рис. 1-32). При этом происходит быстрое разрастание блоков до макроскопических размеров (рис. 1-33) [Ульянова Т. П. и др. 1973]. Кристаллизационное давление, развивающееся по индукционным поверхностям между основным кристаллом и блоком, создает новые напряжения, и возникают новые блоки. Таким образом, происходит прогрессивное нарастание блочности, причем каждый блок по-прежнему растет как самостоятельный кристалл. Такой процесс называется расщеплением кристаллов. Расщепление чрезвычайно распространено. Оно приводит к образованию макроблочных кристаллов (рис. 1-34), многоглавых и сноповидных кристаллов и в конце концов к радиаль- [c.58]

Расщепление кристаллов и связанные с ним многообразные морфологические особенности кристаллов макроблочность, многоглавый рост, дендриты, скручивание и как крайнее проявление расщепления — образование сферолитов. [c.129]

Несмотря на многочисленные очевидные факты, которые свидетельствуют в пользу того, что группа плагиоклазов представляет собой классичес1сую модель ряда идеальных кристаллических растворов, на основании данных структурных исследований выдвинуты некоторые новые проблемы. Во-первых, Чжао и Тейлор показали, что элементарные ячейки альбита и анортита не связаны непосредственно друг с другом в то время как ячейка альбита имеет сходство с ячейкой санидина (см. А. I, 109), анортит обладает элементарной ячейкой с двойной осью с. Особенно поралсает тесное срастание альбита и анортита в лабрадоре, что противоречит представлению о плагиоклазовых кристаллических растворах, как об однородной фазе, Бергер отмечает, что фазовое равновесие, которое на фиг. 528 выразилось в виде однородного ряда первичной кристаллизации, никоим образом не нарушаете этими новыми фактическими данными. Однако в этсй системе необходимо учитывать правила упорядоченных и неупорядоченных расположений ионов. Первичные высокотемпературные кристаллические фазы, имеющие сильно неупорядоченную структуру, не будут устойчивы при низких температурах, и они будут стремиться к переходу в упорядоченное состояние следовательно, они должны распадаться (фиг. 529). Группы А15 з в альбите и АЬЗЬ в анортите находятся в различных состояниях упорядоченности. В промежуточных кристаллических растворах эта перестройка порядке не может произойти без расщепления кристалла на ДЕ е фазы по [c.494]

Е1 является разность между энергиями потолка валентной зоны и уровня вакуума. На рис. 31, а можно видеть, что эта энергия равна сумме энергии запрещенной зоны и сродства к электрону. Однако такая интерпретация не является однозначной, поскольку энергетический порог может создаваться заполненными поверхностными центрами захвата внутри запрещенной зоны, как это утверждают Шеер и вап Лаар [95] (рис. 31, б). В этом случае график зависимости фотоэлектрического выхода от частоты будет показывать два порога в виде резкого изменения угла наклона, когда энергия фотона достаточно высока для обеспечения обоих процессов. Установлено, папример, что общий фотоэлектрический выход У для расщепленного кристалла кремния р-тина дается следующим соотпогнением [c.158]

Имеются различные способы исследования для того, чтобы решить вопрос, действительно ли ямки травления образуются в точках выхода дислокаций. Например, можно протравить обе плоскости, полученные прп расщеплении кристалла по спайности и рассмотреть расположение ямок травления на обеих плоскостях. Если их расположение соответствует зеркалыюму отображению, то тогда можно считать, что это — дислокационные ямки травления. Другая возможность состоит в следующем, В кристалле, в котором мало дислокаций, наблюдают после травления пару ямок, которую прежде всего можно привязать к точкам выхода дислокационной петли, проходящей внутри кристалла (внутренний дислокационный диполь на рис. 15.5). Если на кристалл действует растягивающее напряжение, то дислокационная петля расщиряется и принимает после снятия с кристалла напряжения конечное положение (внешний дислокацион- [c.399]

Или в обозначениях через параметр расщепления кристаллй-ческим полем Д по (IV. 14) , [c.84]

Известно, что некоторые кристаллы могут раскалываться (расщепляться) на более мелкие, форма которых имеет точное сходство с формой основного кристалла. Процесс расщепления кристаллов может происходить ограниченное число раз. Исследователи XVni в. Хук и Аюи пришли к выводу, что все кристаллы состоят из большого количества мельчайших частиц, из которых кал дая имеет форму, подобную форме более крупного кристалла. Эта гипотеза сыграла большую роль в развитии кристаллографии как науки и привела к современному понятию пространственной решетки. [c.28]

Опыты по расщеплению кристаллов графита в различных газовых средах (воздух, водяной пар, кислород, вакуум) показали [51], что в вакууме энергия связи графита более высокая, близкая к теоретической и составляет 1750 эрг/см2, в воздухе же энергия связи значительно ниже и составляет 240—260 эрг/см . Поэтому графит в воздухе является хорошей смазкой, а в вакууме — плохой. Более низкий коэффициент трения и меньшая скорость изнащивания характерны для графита на воздухе [47, 52], в присутствии паров воды и метанола [53], что согласуется с более низкими значениями энергии связи, определенными на воздухе и в этих средах. Для дисульфида молибдена наблюдается обратная за-висимость [46]. [c.143]

При расщеплении кристаллов слюд происходит разрыв межслоевого промежутка и обнажаются сетки внешних оснований кремнекислородных тетраэдров. Эти основания образуют пустоты различной конфигурации гексагональные или дитригональные. В монокристалле слюды такая пустота служит местом размещения межслоевого катиона. При расщеплении слюды совершенно естественным является образование вакансий на поверхности вследствие статистического распределения ионов калия по в товь создающимся поверхностям. [c.194]

Большое расстояние между двумя атомными плоскостями кристалла показывает, что эти плоскости связаны лишь очень слабыми силами притяжения (вандерваальсовыми силами). С одной стороны, этим объясняется легкость расщепления кристаллов параллельно основанию, а с другой стороны — их небольшая твердость при нажиме плоскости сначала скользят друг по другу, а затем рвутся одна за другой. Если было бы возможно исследовать кристаллы графита в направлении, параллельном оси с, то их твердость, вероятно, была бы сравнима с твердостью алмаза. Смазывающие свойства графита обусловлены легкостью скольжения атомных плоскостей по отношению друг к другу. [c.464]

По данным Брауна [16], а также Хорслея и Ненкероу [58], рентгенограмма волокон (без шейки), вытянутых при 96° (т. е. довольно близко к температуре плавления, 115°), показывает, что постепенное приближение кристаллических областей к параллельной ориентации происходит без осложнений. Полностью вытянутые волокна состоят из кристаллических областей, где оси с (оси молекулярных цепей) на несколько градусов отклонены от оси волокна, и аморфных областей, в которых, судя по распределению интенсивностей в аморфном кольце , степень ориентации молекул гораздо ниже. При комнатной температуре процесс вытягивания волокон протекает сложнее в образцах волокон, вытянутых очень медленно без образования шеек, а также в области шейки при более быстром вытягивании изменение наклона кристаллов весьма своеобразно так, вначале параллельно оси волокна располагается плоскость с индексами (100) (рис. 55), затем за ней следуют другие плоскости кристалла, и, только когда процесс вытягивания волокна закончен, все плоскости кристаллов, параллельные молекулярным осям, становятся почти параллельными и оси волокна. Замечательно то, что на промежуточных стадиях процесса вытягивания [когда плоскость (100) расположена параллельно оси волокна] наблюдается явная тенденция осей молекулярных цепей расположиться под определенным углом (около 64°) к оси волокна. Предпочтительная параллельность плоскости (100) оси волокна обусловлена, вероятно, расщеплением кристаллов и более легким скольжением именно по этой плоскости, а не по другим причины, приводящие к преобладанию угла наклона осей молекул, равного 64°, не ясны. [c.252]

Хотя в соответствии с классической теорией явление электролитической диссоциации должно рассмат])нваться состоящим как минимум из дпух стадий сольватации и расщепления кристаллов соли, при выводе систем (1) — (3) мы считаем его, простоты ради, идуш,им в одну эквивалентную (эффе(ктн115пую) стадию. [c.73]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология