Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Дефекты одномерные

    Линейные дефекты — одномерные, т. е. протяженные в одном измерении нарушения периодичности в одном измерении простираются на расстояния, сравнимые с размером кристалла, а в двух других измерениях не превышают нескольких параметров решетки. [c.308]

    Методика позволяет выявить точечные дефекты, точки выхода дислокаций, одномерные нерегулярности, например ступени скола, кристаллические поверхности, которые могут обладать различными характерными особенностями расположения ионов, что определяет количество, а при определенных условиях и форму выделяющихся кристалликов золота. [c.136]


    По природе и происхождению дефекты подразделяют на следующие типы точечные (нульмерные), линейные, или дислокации (одномерные), поверхностные (двухмерные) и объемные (трехмерные). [c.178]

    Одномерные дефекты представляют собой линейную последовательность узлов решетки, вдоль которых обрывается периодиче- [c.270]

    Природа дефектов может быть различной и простирается от микроуровня (электронного, атомного) до дефектов в микрообъемах вещества. В зависимости от размера той области неупорядоченности (области искажений решетки), которую занимают те или иные дефекты, их можно классифицировать по чисто геометрическому признаку — размерности дефекта ( размерность — число измерений, по которым дефект имеет макроскопическую протяженность). По этой классификации дефекты кристаллической решетки разделяют на нульмерные (точечные), одно-, двух- и трехмерные. Нульмерные дефекты в первом приближении занимают в кристалле область искажений, соизмеримую по всем направлениям с размером атома или электрона. Одномерные дефекты имеют протяженность, значительно превосходящую размер атомов в каком-либо одном направлении (в других направлениях они нульмерны), двухмерные — в двух и трехмерные — в трех направлениях. [c.66]

    Нуль- и одномерные дефекты относятся к микродефектам или дефектам тонкой структуры кристалла. Нульмерные дефекты можно разделить на электронные и атомные. К электронным дефектам принадлежат избыточные электроны, дырки и экситоны. К атомным нульмерным дефектам (рис. 11) относятся вакансии (незанятые узлы решетки), примесные атомы, замещающие собственные атомы вещества в их регулярном положении (в узлах решетки), и собственные или примесные атомы, находящиеся (дислоцированные) в иррегулярном положении в междоузлиях решетки (частицы, находящиеся в междоузлиях, иногда называют междоузельными или [c.66]

    Опишите типы нульмерных и одномерных дефектов в решетках кристаллических веществ и укажите, на какие их свойства они оказывают особенно большое влияние. [c.102]

    В результате в памяти прибора синтезируется трехмерный массив данных об амплитуде отраженного сигнала от каждой точки объема материала и на дисплей может быть вызвано произвольно ориентированное в объеме изображение сечения внутренней структуры ОК. Амплитуды сигналов отображаются уровнями яркости или цветовой гаммой. Такое представление результатов контроля названо авторами томографическим. Наряду с наглядностью, оно повышает достоверность обнаружения дефектов в условиях высокого уровня помех по сравнению с одномерной разверткой. [c.539]

    Определение контрастов в виде (2.27. .. 2.29) можно рассматривать как одномерную фильтрацию сигнала, поскольку они не учитывают эффекты диффузии тепла, в особенности, в поперечном направлении. В теплопроводных материалах эффекты трехмерной диффузии могут существенно изменять пространственные профили температуры и затруднять выделение слабых сигналов от малых дефектов. [c.39]


    Последний пункт означает, что основным отличием многомерных задач от одномерных является возможность учитывать диффузию тепла в материале объекта контроля вокруг дефектов конечных размеров. [c.44]

    Трехслойная модель (2.46) является базовой, поскольку с ее помощью можно моделировать различные задачи ТК (покрытие на подложке, многослойные изделия и т.п.). Нри этом возможно изучать влияние на температурный сигнал АГ(т ) большинства практических параметров за исключением поперечных размеров дефектов. Принципиально одномерная модель вида (2.46) непригодна для моделирования нагрева тел локализованным (сканирующим или неподвижным) источником тепла. [c.49]

    В рамках одномерного приближения решение (2.52) используют дпя изделий из металлов и композиционных материалов с дефектами в виде расслоений. [c.51]

    Одномерные, в том числе многослойные, задачи решают аналитически с использованием операционного метода, метода термического четырехполюсника или функций Грина, тогда как для многомерных моделей наиболее пригодны численные методы. Ниже будут рассмотрены некоторые особенности применения аналитических и численных методов при исследовании теплопередачи в твердых телах, содержащих скрытые дефекты типа нарушения сплошности. [c.56]

    При неограниченном увеличении диаметра дефекта, двухмерная цилиндрическая модель ("диск в диске") переходит в одномерную трехслойную модель, решение которой приведено в главе 2. Рекомендуемые значения шагов равномерной пространственно-временной сетки приведены в табл. 3.1 для нескольких типичных ситуаций ТК. [c.62]

    Температурный сигнал в одномерной модели. Использование этой модели для расчета сигналов от внутренних дефектов предполагает, что теплопередача в изделии осуществляется незави- [c.64]

    В одномерной модели температурный сигнал над дефектом зависит только от времени и пространственной координаты направленной вглубь изделия [c.65]

    В рамках одномерной модели температурный сигнал АТ рассчитывают в виде разности двух решений, полученных соответственно для дефектной и бездефектной зон. Такой подход позволяет оценить зависимость дифференциального температурного сигнала от глубины залегания и толщины дефекта, а также от ТФХ изделия и дефекта. [c.65]

    Границы применимости одномерных моделей, в которых влияние диффузии тепла на величину АТ остается незначительным, рассмотрены ниже. На практике "поперечные" (трехмерные) тепловые потоки на краях дефекта сглаживают форму сигнала АТ и при определенных размерах дефекта приводят к существенному снижению его амплитуды (см. штрихпунктирную линию на рис. 3.3). [c.65]

    Одномерная модель ТК с абсолютно нетеплопроводным дефектом. [c.65]

Рис. 3.4. Одномерная модель абсолютно нетеплопроводного дефекта при одностороннем ТК Рис. 3.4. <a href="/info/117104">Одномерная модель</a> абсолютно нетеплопроводного дефекта при одностороннем ТК
Рис. 3.5. Изменение температурного сигнала (а) и текущего контраста (б) над дефектом в одномерной адиабатической модели ТК согласно формулам (3.30) и (3.31) Рис. 3.5. <a href="/info/373047">Изменение температурного</a> сигнала (а) и текущего контраста (б) над дефектом в одномерной <a href="/info/941733">адиабатической модели</a> ТК согласно формулам (3.30) и (3.31)
    Согласно одномерной модели максимальный контраст для случая на рис. 3.6 должен быть равен С " = /,//-1=4. Наиболее близкое значение контраста создается воздушным дефектом в стали. Для углепластика оценка С " становится нереалистичной. Достоверность простейшей одномерной модели возрастает с увеличением толщины дефекта или теплопроводности основного материала. Следует отметить, что данная модель требует продолжительного наблюдения, поэтому ее практическое значение невелико. [c.69]

    Сравнение одномерной и трехмерной моделей тепловых волн при обнаружении дискообразного дефекта диаметром 20 см и толщиной 10 см [c.74]

    Под реалистичными одномерными моделями понимают такие, которые учитывают все значимые параметры ТК за исключением диффузии тепла на границах дефектов в поперечном направлении. Единственными параметрами, ограничивающими применение таких моделей, описываемых формулами (2.41, 2.49, 2.50, 2.52), являются поперечные размеры дефекта в [c.77]

    Ряд особенностей изменения температуры нагреваемых тел во времени были рассмотрены в главе 2 с использованием одномерных классических решений теории теплопроводности, которые имеют критериальную форму и позволяют анализировать температурные функции в наиболее общей форме. В настоящем параграфе будут рассмотрены результаты анализа многомерных моделей, описанных в пп. 3.3, 3.4. Большая часть примеров будет относиться к выявлению дефектов в композиционных материалах типа углепластика, которые широко используются в авиакосмической технике и представляют обширное поле для применения ТК. Тем не менее, приведенные результаты качественно объясняют особенности ТК и для многих других материалов. [c.86]


    Толщина дефекта. В принципе толщина дефекта d в направлении распространения основного теплового потока является всего лишь одним из размеров дефекта, которые в целом существенно влияют на АГ и. Анализ параметра отдельно от поперечных размеров дефектов к целесообразен при сравнении многомерных и одномерных задач ТК. Как следует из рис. 3.22, с ростом увеличивается амплитуда сигнала АГ и возрастает время. Если дефект расположен в [c.93]

    Поперечные размеры и конфигурация дефекта. Дефекты достаточно больших поперечных размеров могут приводить к одномерному течению тепла через дефект. Это положение проиллюстрировано на рис. 3.23 зависимостью АГ и х от о /1- Видно, что в углепластике поперечным тепловым потоком можно пренебречь, если 2г /1 > 5. Для более теплопроводного алюминия это условие становится более жестким 2г /1 > 10. В литературе по ТК известно приближенное правило, согласно которому с помощью теплового метода можно обнаружить дефекты, поперечный размер которых по крайней мере вдвое превышает глубину их залегания, т.е. 2г /1 > 2. Данные рис. 3.23, а подтверждают этот вывод, поскольку именно со значений 2г /1<2 начинается резкий спад АГ . Следует отметить, что временные параметры (Ти) более устойчивы к вариациям поперечных размеров дефектов, что еще раз доказывает предпочтительность их использования для оценки параметров дефектов. [c.93]

    В табл. 3.10 приведены сравнительные оптимальные параметры обнаружения протяженных (одномерных) воздушных дефектов в различных материалах при кратковременном и длительном нагревах. Данные таблицы могут быть использованы для ориентировочного прогнозирования возможностей ТК материалов с различной теплопроводностью. [c.109]

    Очевидно, что алгоритмы решения одномерных обратных задач позволяют восстановить только значения d,l , тогда как оценка поперечных размеров дефектов h ,hy требует анализа пространственной [c.117]

    Формулы (4.4) являются более общими, нежели (4.3), однако и они справедливы только для одномерных дефектов, да- [c.119]

    Более сложную одномерную модель двухслойной пластины с резистивным дефектом использовали Ж. Крапе и П. Съело [39]. Моделировали равномерный нагрев пластины тепловым потоком, который проникал на определенную глубину согласно закону Ламберта-Бера. Аналитическое решение задачи T (gJ,x ) [c.126]

    Трехслойная неадиабатическая пластина с емкостным дефектом. Одномерная модель изделия с емкостным дефектом дана в п. 2.7.6 в виде трехслойной пластины, каждый ее слой описывается набором С, р, А, . Дифференциальный температурный сигнал в соответствующей модели ТК определяется формулой (3.21). Аналитическое рещение этой задачи является громоздким и требует привлечения компьютерной техники (программа Multu-1ауег-3). Основное достоинство решений такого вида состоит в возможности аналитической проверки точности расчетов дефектов, вытянутых в направлении, параллельном нагреваемой поверхности. [c.76]

    Дефекты в кристаллах принято классифицировать по их размерам точечные и атомные дефекты (нульмерные), линейные дефекты (одномерные), поверхностные дефекты (двумерные). Появление объемных дефектов соответствует выделению второй фазы и, следовательно, нарушению монокристалличности обра з-ца. В этом случае создается гетерогенная система, в которой выделившаяся фаза не оказывает непосредственного влиякия на структурно-чувствительные свойства материнской фазы, хотя свойства образца в целом претерпевают заметные и часто резкие изменения. [c.161]

    Обычно кристаллы классифицируют по признакам общей симметрии. В этом отношении жидкие кристаллы можно подразделять на смектические, нематические и холестерические. Для смектических жидких кристаллов, обычно являющихся термотропными, характерен ближний одномерный и ориентационный порядок, что имеет место и у твердых кристаллов. У нематических жидких кристаллов проявляется дальний ориентационный порядок в каком-либо одном направлении. Аналогичный порядок расположения молекул имеют и холестерические жидкие кристаллы, но они отличаются по равновесной структуре и текстуре. Существующие в различных жидких кристаллах видимые в обычный оптический микроскоп дефекты структуры получили название дисинклинаций. Иногда одна часть полимерной системы имеет смектическую, а другая — нематическую фазу. При этом может происходить переход [c.30]

    ДЕФЕКТЫ в кристаллах (от лат. <1еГес1из - недостаток, изъян), нарушения полностью упорядоченного расположения частиц (атомов, ионов, молекул), характерного для идеального кристалла. Образуются в процессе роста кристалла из расплава или р-ра, а также под влиянием внеш. воздействий (тепловых, электрич., мех., при разл. видах облучения), при введении примесей. Различают точечные (нульмерные), линейные (одномерные), поверхностные (двухмерные) и объемные (трехмерные) Д (см. рис. 1). [c.29]

    Изоморфные замещения имеют статистич. характер и приводят к образованию частично неупорядоченной структуры, поэто.му смешанные кристаллы часто рассматривают как дефектные системы (с точечными, одномерными, двухмерными или объемными дефектами). Развивается энергетич. концепция И., к-рая позволяет в сравнительно простых случаях на основе расчета энергии атомизацни изоморфных смесей предсказать пределы изоморфных замещений в зависимости от т-ры. [c.190]

    Если тип а характерен для чистых КВЦ, образованных жесткими или полностью выпрямленными и полностью закристаллизованными цепями, то типы бив характеризуются чередованием аморфных и кристаллических зон, образующих уже знакомые нам большие периоды, но в одном случае цепи все же развернуты, так что можно говорить о незавершенных КВЦ, а в другом мы явно имеем дело с типичными КСЦ. Существенно здесь то, что при растяжении таких систем на прочность работают именно аморфные участки [51], но в структуре б (фибриллы по Стэттону, или фибриллы с пучностями) из одной кристаллической области в другую переходит почти 100 % цепей (если бы цепи были бесконечны, то было бы в точности 100 %), а в структуре в — значительно меньше часть цепей возвращается в свой кристаллит, а часть концов цепей теряется в межкристаллитной области. В структуре же типа а дефекты образованы лишь стыками между концами цепей, которые, по-видимому, проявляют некоторую тенденцию к сегрегации. Обратим внимание на то, что структура а обладает некоторыми чертами сходства с одномерным нематическим монокристаллом, а структура б — с квазиодномерным смектиком. [c.370]

    Как отмечено выше, теоретическая плотность железа, имеющего при комнатной температуре идеально упакованную кристаллическую решетку, может быть установлена довольно точно. Все нарушения укладки атомов в решетке (дефекты структуры) - точечные (вакансии и межуэельные атомы и их Группировки), одномерные (дислокации и дисклинации), двумерные (дефекты упаковки, границы субзерен, границы зерен и границы фаз), а также трехмерные дефекты (например, микропоры), которые по определению относятся к микроструктуре и не требуют анализа на атомном уровне, - неизбежно приводят к дилатации и изменению плотнос- и металла. Соответственно вклад дефекта в изменение удельного объе-или плотности металла может послужить оценкой значимости вклада Данного вида дефектов в изменение его субмикроструктуры. [c.97]

    Тепловые методы контроля качества ориентированы на применение универсальной теплоизмерительной или тепловизионной аппаратуры для получения и переработки информации о тепловом излучении контролируемого объекта. С помощью такой аппаратуры в зависимости от потребностей можно получать одномерную или двумерную информацию, причем ее обработка производится специализированными или универсальными ЭВМ. Стало возможным подавление самого сильного мешающего фактора — вариации коэффициента теплового излучения контролируемого объекта, определяемого состоянием его поверхности. Усилия ученых и инженеров направлены в первую очередь на улучшение эксплуатационных характеристик аппаратуры теплового контроля, в частности на создание первичных измерительных преобразователей с выходным сигналом большей величины, например, за счет эффектов накопления энергии излучения, а также на применении электрического охлаждения взамен неудобной заливки жидкого азота. Важную роль имеет разработка методик проведения контроля, обеспечивающих высокую достоверность испытаний для конкретных изделий, особенно сложной конструкции. В ближайшее время значение тепловых методов в неразрушающем контроле будет возрастать в связи с разработкой качественной универсальной аппаратуры контроля и пригодности этих методов для контролй самых разнообразных материалов, промышленной продукции и решения многих задач контроля качества. Значительные расстояния, на которых тепловыми методами могут обнаруживаться дефекты энерготрасс, промышленного оборудования и других объектов, а также быстрота анализа, в том числе и с помощью ЭВМ, делает их незаменимыми для оперативного контроля. [c.359]

    Классическое решение для нагрева неадиабатической пластины. Простейшая одномерная модель дефекта при одностороннем ТК изображена на рис. 3.4, будучи дальнейшим упрощением модели на рис. 3.3. Дефект является абсолютным теплоизолятором, на его границе выполняется условие дТ/дг = 0. В дефектной зоне в процессе теплопроводности участ- [c.65]

    Если принять модель идеально отражающего (полностью теплоизолированного) одномерного дефекта (п. 3.2.2, модель рис. 3.4), то одно и то же рехпение (3.36) можно использовать для расчета нагрева [c.73]


Смотреть страницы где упоминается термин Дефекты одномерные: [c.79]    [c.236]    [c.227]    [c.67]    [c.44]    [c.62]    [c.75]    [c.79]    [c.79]    [c.79]   
Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений (1988) -- [ c.66 ]




ПОИСК







© 2022 chem21.info Реклама на сайте