Комплексы конечные а кристаллах

Нефтяные системы можно отнести к объектам нового направления в физике конденсированных сред, получившем условное название физики мягкого состояния и объединяющем физику полимеров, жидких кристаллов, критических явлений, коллоидно-дисперсного состояния [4]. Существует значительная корреляция между свойствами на микро-, мезо- и макроуровнях их супрамолекулярной организации (рис. 1.) В соответствии с обобщенными принципами химической кибернетики [5] технологический процесс рассматривается как передача и закрепление в материале определенной информации, которая и определяет комплекс его свойств. Носителем информации является структура исходного материала. В замкнутом технологическом цикле 1Е=соп81, где I — уровень информации, заложенный в исходном сырье, а Е — энергетические затраты на технологической стадии. Чем больше информации заложено в исходном сырье, тем меньше необходимо за[тратить энергии для достижения необходимого уровня конечных свойств. Технологические режимы должны быть такими, чтобы уровень исходной структурной организации сырья не только не уменьшался в ходе превращений (такое возможно в силу неопределенности структурных перестроек в ходе технологического процесса), а возрастал, достигая максимальной степени в конечном продукте. Рис. 1 иллюстрирует возможности управления процессами на макроуровне влиянием на микроструктуру нефтяных систем. [c.174]

В определении понятия комплексное соединение нет полного единства. Это обусловлено разнообразием комплексных соединений и разнообразной гаммой их характерных свойств. В лабораторной практике химики чаще всего имеют дело с соединениями в твердом и растворенном состоянии. Для этих условий можно дать следующее определение комплексных соединений комплексными называются соединения, в узлах кристаллов которых находятся комплексы, способные к самостоятельному существованию в растворе. Следует подчеркнуть, что такое определение, конечно, далеко не исчерпывающее и оно применимо лишь в известных пределах. [c.110]

Кристаллы, содержащие конечные комплексы. Конечные (по ра. мерам) комплексы включают все молекулы и конечные [c.49]

Наиболее важные типы структур представлены в табл. 12.2 другие упомянуты позднее. Большинство простых структур уже описаны в предыдущих главах. В табл. 12.2 структуры расположены в соответствии с типом комплекса в кристалле (трех-, дву-, одномерный или конечный), и для каждой структуры при- [c.239]

Методы первого направления устанавливают связь скорости реакции с молекулярными характеристиками исходных веществ и переходного (активированного) комплекса. Основная задача, решаемая этой группой методов, заключается в отыскании зависимости потенциальной энергии реагирующей системы от координат составляющих ее атомов [12]. При этом сначала строятся модели молекул, как систем с конечным числом электронов, после чего результаты моделирования обобщаются на бесконечные или полубесконечные кристаллы. [c.61]

Конечной целью исследований с применением дифракционных методов является расшифровка атомной структуры кристалла данного соединения. Одновременно решается также ряд частных структурных вопросов, которые важны для выяснения закономерностей структурообразования комплексов определяется дентатность и способ координации лиганда, структура хелатного кольца, наличие полимеризации и взаимодействия металл — металл, характер межмолекулярных взаимодействий в кристалле. [c.200]

Нельзя изучать кристаллическое вещество вне процесса его образования, вне связи с жидкой и газообразной фазой. Эти процессы изучает физическая химия, так как любой процесс или положение равновесия зависят от физико-химических условий среды. Относительное расположение атомов и молекул в кристаллическом веществе зависит от качества самих атомов, от их химической природы. Отсюда тесная связь с химией, особенно со стереохимией. Атомы и молекулы в кристаллах образуют геометрически правильные комплексы. Совокупность их определяет форму кристаллов в виде многогранников. Многогранники же изучаются математикой и, в первую очередь, геометрией. Очевидна, конечно, связь кристаллографии с физикой, особенно с теми ее разделами, которые занимаются изучением различных свойств [c.10]

Однако такой механизм не является единственно возможным. Очень интересной представляется общая трактовка Э. М. Галимова. Поверхность алмаза покрыта хемосорбированным слоем атомов водорода. Поэтому одной из стадий присоединения атома углерода к затравочному кристаллу алмаза является образование комплексов СН4-Н. Адсорбированные молекулы метана будут претерпевать термическую диссоциацию. Так как энергия связи Н выше, чем энергия связи -С—Н, то преимущественно образуются радикалы СНз и комплексы СН4-Н (конечно, относительно к общей концентрации соединений соответствующих изотопов). [c.89]

Опыт эксплуатации аппаратов гидротермального выращивания кристаллов указывает на необходимость тщательного изучения различных вариантов теплоизоляции несущего сосуда и выбор оптимального на стадии проектирования, а также ее модернизации и совершенствования при внедрении и эксплуатации. Осуществить это на практике с помощью натурного экспериментирования, особенно для крупногабаритных промышленных установок, чрезвычайно сложно и связано со значительными трудовыми и финансовыми затратами. Например, чтобы получить экспериментальные данные (в объеме, достаточном для последующих численных расчетов) о распределении температур по поверхностям корпуса и затворных деталей на опытном сосуде емкостью 1,5 м , потребовалось установить около 150 термодатчиков (с общей длиной коммуникационных линий 2000 м) и провести около 10 экспериментальных циклов. Естественно, что такой подход неприемлем, когда требуется получить оперативные данные о возможности влияния предполагаемой реконструкции теплотехнической оснастки сосуда на температурный режим в реакционной камере и энергопотребление аппарата. В этом случае наиболее целесообразным является создание для каждого типа промышленных аппаратов математической модели теплового баланса установки на основе использования современной вычислительной техники. Конечно, для указанных целей нет необходимости в разработке громоздких вычислительных схем, основанных на моделировании всего комплекса теплофизических процессов, происходящих в аппарате. Достаточно иметь сравнительно простую модель теплообмена с окружающей средой установки, схематично разбитой на основные теплотехнические зоны. Как правило, целесообразно разбить моделируемую установку на следующие зоны нижний и верхний затворные узлы, нижняя, верхняя и средняя части корпуса, зоны крепления сосуда. Можно использовать и более детализированные модели, однако увеличение числа зон свыше 20—25 нецелесообразно. Математической основой таких моделей является простое соотношение теплового баланса для каждой зоны при условии ее изотермичности [c.276]

Класс III. Кристаллы, содержащие конечные, одно- или двумерно-бесконечные комплексы, объединенные связями металл—металл. В классах I и II были рассмотрены субъединицы, в которых реализуются связи m—m в случае дополнительного связывания мостиковыми атомами X их относят к классу II. В классах 1а и Па эти группировки дополнительно связываются атомами X, но без образования дополнительных связей m—m. Теперь необходимо обособить следующий класс структур с многочисленными связями металл — металл (т—т) между конечными или одно- или двумерно-бесконечными субъединицами. Внутри этих группировок также может осуществляться m—m-связывание, но не обязательно. Данный класс [c.371]

В. я. Хаимов-Мальков [78] рассмотрел процессы диффузии в монокристаллах лейкосапфира, согласно которым собственные точечные дефекты могут взаимодействовать с примесными атомами (центрами), меняя их валентное состояние и пространственную конфигурацию. В результате образуется малоподвижный примесно-дефектный комплекс. Такой процесс описывается в рамках твердофазных химических реакций. Изменение валентного состояния примеси и, следовательно, структуры примесного центра, приводит к соответствующему изменению объема кристалла, определяемого с помощью дилатометра. То есть в конечном счете по этой причине возникают механические напряжения, обладающие значительными градиентами и оказывающие влияние на процесс диффузии. [c.77]

Следует кратко определить те основания, которы.ми руководствуются для того, чтобы рассматривать данную группу атомов как комплекс . Определение конечных комплексов обычно не представляет трудностей, поскольку комплекс является или нейтральной молекулой, или комплексным ионом. В простых молекулярных кристаллах единственными силами, действующими между атомами различных молекул, являются относительно слабые ван-дер-ваальсовские силы. В некоторых кристаллах, содержащих полярные молекулы (например органические молекулы с группами ОН или КНз), а также в некоторых оксисолях и кислых солях с кристаллизационной водой, расстояния между определенными парами атомов разных молекул или комплексных нонов бывают меньше обычных. Таким путем в кристаллах была открыта водородная связь , обусловленная присутствием атома водорода между такими парами атомов. Эта форма межатомной связи будет включена в нашу схему классификации кристаллов, однако дальнейшее обсуждение водородной связи следует отложить до гл. VII. Межатомные расстояния в молекулярных кристаллах значительно больше, чем внутри молекулы, а именно [c.163]

В гл. 1 мы предложили очень простую классификацию кристаллических структур, основанную на выделении четырех главных типов комплексов конечные комплексы (острова, О), цепи (Ц), слои (С), трехмерные бесконечные комплексы (карка-сн, К), смешанные системы, которые реализуются в кристаллах, содержаш,пх комплексы более чем одного типа (например, [c.163]

Краткого перечисления вычислительных операций, из которых состоят действующие комплексы структурных программ, конечно, недостаточно для того, чтобы читатель смог начать непосредственную самостоятельную работу в этой области. Такое перечисление не руководство к действию, а лишь демонстрация сложности и разветв-ленности той системы вычислительных операций, с которыми сопряжена работа по определению атомного строения кристаллов. В какой-то степени автор стремился также показать, насколько значителен вклад наших математиков-программистов в обеспечении потока структурных исследований, выполняемых в многочисленных научных центрах страны. [c.144]

Отношение Гка+/гс1- в Na l равно 0,98 1 81 = 0,54, что соответствует наиболее вероятному координационному числу (к.ч.) 6. Отношение r s -lr i- = 0,9 соответствует к.ч. 8. Указанные координационные числа не имеют ничего общего с зарядностью ионов этих элементов и с их окислительными числами, равными +1 и —1 (см. гл. III, 9 и гл. VII). Координационные числа в ионных решетках определяются не числом валентных электронов и не зарядностью ионов, а принципом плотных упаковок, который в типично ионных решетках, как и в металлических, господствующий (но, конечно, не единственно определяющий координационные числа) координационные числа в них всегда больше нормальной валентности атомов элементов, строящих такие решетки. Говорить о молекулах в ионных решетках не приходится, так как весь ионный кристалл представляет единый трехмерный комплекс взаимосвязанных электростатическими силами ионов, на которые в какой-то доле накладываются и силы взаимодействия за счет перекрытия электронных облаков (ковалентной составляющей). [c.130]

Мы видели, что в некоторых кристаллах можно выделить группы сближенных атомов (комплексы), связи внутри которых отличаются от связей между комплексами (и обычно гораздо короче, чем последние). Комплексы могут быть конечными или бесконечно протяженными в одном, двух или трех измерениях они удерживаются вместе за счет ионных, вандерваальсовых или водородных связей. Подразделение комплексов на эти три типа дает общую основу для широкой геометрической классификации кристаллических структур, показанной на схеме 1.2. Правда, с первого взгляда может показаться, что наиболее очевидным способом классификации структур должно быть группирование их в соответствии с типами связей между атомами (считая, что существуют четыре предельных типа ионный, ковалентный, металлический и вандерваальсов). Такое общее деление на ионные, ковалентные, металлические и молекулярные кристаллы делают довольно часто. Однако в действительности связи, приближающиеся к чистым типам (особенно ионному или ковалентному), весьма редки, и, более того, в большинстве кристаллов имеются связи нескольких различных типов сразу. Следует учитывать многочисленные промежуточные классы, и это приводит к тому, что классификации, основанные на типах связи, становятся запутанными, не будучи исчерпывающими. Кроме того, они имеют и тот недостаток, что переоценивают значение чистых типов связи, тогда как связи промежуточного характера рассматриваются как отклонение от этих предельных ти- [c.40]

Конечные комплексные ионы включают многочисленные ок-сононы и комплексные галогенидные ионы, акваионы в некоторых гидратах (например, А (Н20)б +), все конечные заряженные координационные комплексы, не говоря уже о самых простых ионах типа N , Сг , О2 , и многие другие. Кристаллы, [c.50]

Например, если примеси могут образовать фазу, изоструктур-ную легируемой матрице, то результатом допирования явится кластеризация примесей, и в системе возникают локальные химические неоднородности (примесные комплексы). В противном случае результирующее состояние системы будут определять по крайней мере два возможных эффекта — реконструкция каждого дефекта и кластеризация разносортных дефектов. Естественно, что механизм формирования конечного состояния сложнолегированной системы будет зависеть от многих факторов — химического состава и структуры кристалла, химической природы и концентрации примесей, внешних условий. [c.59]

В этих примерах мы перешли от простой четырехчленной молекулы Ь12С12 к четырехчленным циклам, в которых атомы X включаются в дополнительные связи с атомами М, и последние три примера представляют кристаллические тела, в которых связи М-—X распространяются на весь кристалл [трехмерный комплекс). До некоторой степени аналогичная проблема возникает в конечных молекулах (или комплексных ионах), если имеются связи между атомами X, присоединенными к центральному атому. Идеальную стереохимию атома металла, образующего шесть связей, можно ожидать в тех случаях, когда он связан с шестью идентичными атомами в конечную группу МХб. Если два или более атомов X составляют части полиден-татного лиганда (т. е. они сами связаны вместе определенным [c.32]

Конечные комплексные иопы включают многочисленные ок-сононы и комплексные галогенидные ионы, акваионы в некоторых гидратах (например, А (Н20)б +), все конечные заряженные координационные комплексы, не говоря уже о самых простых ионах типа N , Сг , 02 , 2 , и многие другие. Кристаллы, содержащие меньшие по размерам нли более симметричные комплексные ионы, часто имеют структуры, подобные структурам соединений А Хя (см., например, разд. о структуре Na l в гл. 6). [c.50]

Пример 7.5.5.1. Стохастическая модель зародышеобразования. Необходимо в рамках стохастических представлений построить модель гомогенного и гетерогенного зародышеобразования (см. подраздел 8.7.1) для описания скорости образования кристаллов из жидкой фазы на основе представления о рождении и гибели кластеров [120]. При решении поставленной задачи считается, что зародышеобразование протекает по известной схеме случайного процесса гибели и рождения с конечным числом состояний [29, 99, 121, 122]. Пусть объем пересыщенного пара, незначительно превосходящий объем критического зародыша, содержит ( + 1) атомов или молекул. Символом Ео обозначим состояние этого объема, когда в нем содержится ( + 1) одиночных атомов пара, символом — состояние системы, заключающееся в образовании одного комплекса из двух атомов, — одного комплекса из трех атомов и, наконец, — одного комплекса из и атомов. Этот комплекс представляет собой критический зародыш жидкой фазы, который после присоединения еще одного атома (переход в состояние ) способен к дальнейшему самопроизвольному росту. Обозначим через ко вероятность перехода из состояния Ео в Ei, через А,] — вероятность перехода из состояния Ei в Ei а так далее, т. е. вероятности присоединения одиночных атомов к соответствующим комплексам. Через Ц] обозначим вероятность перехода из состояния Ei в Ео, через р2 — вероятность перехода из состояния в i и так далее, т. е. вероятности отрыва одиночш.1х атомов от соответствующих комплексов. Тогда граф-схема процесса будет иметь вид, представленный на рис. 7.5.5.1. Вероятность перехода системы из состояния Е в состояние 1 полагаем равной нулю ц( = 0), т. е. состояние Е для этой схемы является поглощающим. [c.689]

Описание химической связи в металлах, ионных и молекулярных кристаллах, комплексных соединениях в настоящее время основывается все еще на различающихся между собою модельных представлениях. Мы вправе ожидать, что различные типы химической связи, существующие в твердых телах, могут проявляться и в явлениях гетерогенного катализа. Это положение находит свое отражение в существующих теориях катализа. В мультиплетной теории [1] на первое место выдвигается представление о валентно-химической связи, в то время как в электронной теории катализа на полупроводниках [2]— адсорбционно-химическая связь, в образовании которой играют роль электроны проводимости и электронные дырки. Эти представления о природе химической связи, обусловливающей образование переходных активированных комплексов на поверхности катализатора, не являются, конечно, единственными, или даже г,11авными характеристиками соответствующих теорий. Так, в мультиплетной теории, несомненно, важнейшей стороной является стереохимия катализа — пространственные соотношения и принцип структурного соответствия между расположением атомов в реагирующих молекулах и симметрией атомов на поверхности катализатора. [c.86]

В силу того что кристаллическое вещество, в отличие от других, некристаллических, веществ, имеет упорядоченную атомную структуру и анизотропно, методы кристаллографии резко отличаются от методов других наук. Симметрия проявляется во внешней форме кристаллов, в их структуре, в физических явлениях, протеканэщих в кристаллах, во взаимодействии кристалла с окружающей средой, в изменениях, претерпеваемых кристаллом под влиянием внешних воздействий. Поэтому особенностью метода кристаллографии является последовательное применение принципа симметрии во всех случаях. Благодаря этому весьма специфическому методу кристаллография является самостоятельной наукой, связанной с другими частичным совпадением задач и предмета исследования в конкретных случаях. Нельзя изучать кристаллическое вещество вне процесса его образования, вне связи с жидкой и газообразной фазой. Эти процессы изучает физическая химия, так как лю бой процесс или положение равновесия зависит от физико-химических условий среды. Относительное расположение атомов и молекул в кристаллическом веществе зависит от качества самих атомов, от их химической природы. Отсюда тесная связь с химией, особенно со стереохимией. Атомы и молекулы в кристаллах образуют геометрически правильные комплексы. Совокупность их определяет форму кристаллов в виде многогранников. Многогранники же изучаются математикой и, в первую очередь, геометрией. Очевидна, конечно, связь кристаллографии с физикой, особенно с теми ее разделами, которые занимаются изучением различных свойств твердых тел. В последние годы интенсивно развивается промышленность, использующая монокристаллы с различными свойств ами оптическими, электрическими, механическими и т. п. Связь кристаллографии с химией, физической химией и физикой настолько тесная, что не позволяет провести даже условных границ между этими науками. [c.10]

В такой же последовательности при одном и том же катионе понижается прочность композиций на основе соответствующих комплексных солей, а при разных катионах величиной Стсш увеличивается в сторону более сильного катиона. Эксперимент показывает, что чем прочнее связь в комплексе, тем выше прочность камня на его основе при прочих равных условиях. Примером тому может служить сравнение связующих на основе гидросиликатов кальция и гидросульфата кальция (гипс). Сила связи в комплексном гидросиликате выше, чем в кристаллах гипса, и соответственно выше прочностные свойства камня на основе цементов, в которых образуется гндросиликат. Свойства связующих на основе гидрофосфатов натрия и магния отличны между собой, как и свойства самих комплексов первые водорастворимы и разрушаются со временем, вторые водостойки и прочны. Следовательно, сила связи в новообразованиях системы (в аквакомплексах) влияет на физико-механические, термические, электрические и многие другие свойства затвердевшего камня, хотя, конечно,-эти свойства не являются однозначной функцией только химического состава и строения фаз. Полученные экспериментальные данные подтверждают, что путем направленного выбора связующего можно существенно влиять на свойства камня и подбирать их с учетом требуемых свойств изделия, например прочности. [c.457]

Здесь 1р5 служит одновременно фторирующим агентом и раство-рителе.м. Эти комплексы антиферромагнитны (точка Нэеля порядка 100—150° К) вследствие значительного межионного спин-спинового взаимодействия. Такое взаимодействие возникает за счет перекрывания орбиталей ионов фтора соседних групп [МРе] в кристалле. Это обменное взаимодействие в принципе аналогично взаимодействию, которое имеет место в галогенидах и халькогенрщах некоторых двухвалентных металлов первого ряда переходных эле.ментов (см. стр. 89). Конечно, нри подобном объяснении предполагают, что л (У-орбитали металла в значительной степени перекрываются рл-орбиталялш ионов фтора. [c.384]

Ион тория более устойчив к гидролизу, чем другие ионы типа М , но сильно гидролизуется в водных растворах при pH выше - 3 при этом в зависимости от pH, природы анионов, концентрации и т. д. образуются разнообразные сложные продукты [7]. В растворах перхлоратов основными ионами, по-видимому, являются Th(OH) +, Th(OH) , Tha(OH) +, ThifOH) /, тогда как конечным продуктом является гексамер Thg(OH) it разумеется, все эти комплексы содержат еше и молекулы воды. Гексамерный ион известен также для Nb и для Се и U в кристаллах сульфатов обнаружены ионы [МбОд (0Н)4] 2+ [8]. [c.543]

Для многих целей удобно классифицировать кристаллы по типу комплекса", который они содержат, причем эти комплексы могут быть конечны или бесконечны в одном, двух или трех измерениях. К структурам этих и других галогенидов мы вернемся в гл. VIII. [c.161]