ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Образование граней на фронте кристаллизации из "Получение профилированных монокристаллов и изделий способом Степанова" Здесь С 2=С1+сгТ / 2 о Т = То—Т 0) (где Т о — температура плавления — температура экранов или окружающей среды) — некоторая константа, практически равная градиенту и в окрестности 2=0 qJ —корни уравнения а /о, /1 — функции Бесселя нулевого и первого порядков. [c.72] На практике значение ко/В порядка единицы может иметь место только при вытягивании очень тонких кристаллов (нитей). В остальных случаях к существенно меньше В, и поэтому форма фронта кристаллизации будет отличаться от параболической. При / о - О решение (3. 5) стремится к кривой, определяемой рас-пределением температуры в основании мениска расплава (в рассматриваемом примере Т =соп81). На рис. 20 показана форма границы раздела фаз в зависимости от высоты фронта к . Необходимо обратить внимание на то, что уплощение фронта с умень шением к происходит не равномерно и сосредоточено в средней части кристалла. [c.73] Наличие грани, особенно наклонной, может привести к существенному искажению температурного поля в окрестности фронта кристаллизации, что окажет в свою очередь влияние на размер грани. [c.74] К сожалению, расчет поля температуры ограненного фронта кристаллизации представляет в общем случае достаточно сложную задачу. Например, для цилиндрического кристалла наличие наклонной грани на фронте нарушает осевую симметрию, делает температурное поле трехмерным и может вызвать изменения поперечного сечения кристалла. [c.74] Задача упрощается, если рассматривать вытягивание тонкой широкой пластины с такой ориентацией, чтобы на фронте кристаллизации происходило образование грани, нормаль к которой лежит в плоскости, перпендикулярной к плоскости пластины. Указанные ориентации представляют наибольший практический интерес, как например, ориентации 111 (112) для пластин кремния и германия. Если обеспечить постоянство температуры по ширине ленты, то можно ограничиться расчетом температурного поля в продольном сечении пластины. [c.74] На участке нормального роста функция к (у) аппроксимировалась параболой. Таким образом, положение фронта кристаллизации определялось четырьмя параметрами, которые находили удовлетворяя условиям (3. 6) в четырех точках на границе раздела фаз. [c.75] Вернуться к основной статье