ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Сверхпроводниковый диод из "Физика и химия твердого состояния" Специалистами США (1973 г.) разработан туннельный диод на основе арсенида галлия с использованием свинца в качестве электрода (см. гл. IX). При охлаждении диода ниже Тс = 7,23 К свинец приобретает свойство сверхпроводимости, что приводит к образованию сверхпроводящего полупроводникового перехода. [c.528] В обычных туннельных диодах параметр, определяющий степень нелинейности вольтамперной характеристики диода, составляет- 20—40. У сверхпроводникового диода, охлажденного до температуры 1,35 К, этот параметр равен 8200. Вследствие такой высокой степени нелинейности диода рабочая точка на вольтамперной характеристике смещена (вместо 1 В и 1 мА 1 мВ и 1 мкА). Таким образом, мощность, требуемая от гетеродина, снижается с 10 мВт до 1 нВт. Кроме того, величина флуктуацион-ного шума снижается в 1000 раз по сравнению с таковой у обычных туннельных диодов. [c.528] Вернуться к основной статье