ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы НИТЕВИДНЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ПЛЕНКИ Механизмы и кинетика роста из "Физика и химия твердого состояния" Кристаллизация из пара через слой жидкости. Исследования кинетики роста НК и пленок с одновременным использованием газовой и жидкой фаз немногочисленны. Все они в основном сводятся к выявлению лимитирующих стадий процесса, к экспериментальному определению зависимости вида V (ЬТ). Так, например, при осаждении германия через слой расплавленного раствора германия в олове оказалось, что лимитирующей стадией являются процессы на границе расплав—кристалл и что скорость роста пленки пропорциональна 8Ту. Следовательно, вероятнее всего здесь реализуется дислокационный механизм. [c.485] Все предложенные до настоящего времени теории зарождения и роста НК и пленок игнорируют реальное состояние поверхности раздела, участие во многих случаях химических реакций в процессе кристаллизации из газовой фазы, следствием которых является наличие слоя хемосорбированных молекул на поверхности раздела. При наличии хемосорбции непосредственный обмен между подложкой и средой практически отсутствует и хемосорбционный слой в известном смысле можно считать промежуточной двумерной фазой . Рост кристалла в этом случае, по-видимому, происходит в результате актов химического распада молекул хемосорбционного слоя, механизм которых совершенно не изучен. Особая трудность возникает при обсуждении возможных механизмов роста эпитаксиальных пленок сложных соединений при жидкофазном осаждении в связи с тем, что молекулярная форма нахождения большинства этих соединений в растворах и расплавах в настоящее время неизвестна. Поэтому единой достаточно удовлетворительной теории зарождения и роста НК и пленок при газофазном осаждении пока не существует. Необходимо дальнейшее накопление надежных экспериментальных данных о реальной структуре (атомной и электронной) поверхностей раздела, о явлении хемосорбции, о так называемой закомплексованности и других определяющих явлениях. Важным также в теории гетерогенного зародышеобразования пленок является установление соотношения между процессами статистического зародышеобразования на чистых подложках и на активных центрах. Имеются сведения (Л. С. Палатник и др. 1972 г.) об образовании и длительном существовании в тонких пленках термодинамически неравновесных фаз. Поэтому пределы применимости к тонкопленочным системам (приборы микроэлектроники, оптические покрытия и др.) диаграмм состояний, разработанных для систем массивных материалов, требуют подробного анализа и обсуждения. [c.485] Вернуться к основной статье