ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Интеграции наноструктур в электронные устройства из "Физико-химия нанокластеров наноструктур и наноматериалов" Цель этого пункта, главным образом, охарактеризовать направления и проблемы, которые лежат в конструировании и технологии наноматериалов и наноустройств. [c.518] Другим аспектом нанотехнологии является поверхность нанокластеров. Структура электронных состояний на поверхности определяет многие свойства, и в частности такие, как электропроводность, оптические, каталитические свойства. Это требует, в свою очередь, дальнейшего развития и соверщенствования пространственного разрешения электронной микроскопии и фотонной спектроскопии. [c.519] В наносистемах и наноустройствах большое значение приобретает процесс прохождения электрона через пограничные между кластером и матрицей или между кластерами интерфейсные слои. Это уже важно для современных полевых транзисторов на кремнии. Здесь электрон туннелирует между управляющим электродом и кремниевым каналом через нанометровый слой диэлектрика, что лимитирует эффективность устройства. В будущих подобных устройствах канал проводимости и слой диэлектрика можно будет заменить на эквивалентные слои, составленные из отдельных молекул и обеспечивающие туннельный ток, что приведет к созданию миниатюрных и хорошо воспроизводимых наноустройств. [c.519] Такая регулировка туннельного тока между электродами и активными элементами дает возможность получить оптимальное значение сигнала при минимальном времени переключения и энергопотребления. [c.519] В качестве примера параметров такого туннельного тока через молекулу приведем данные [32]. [c.520] Вернуться к основной статье