ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Область применения высокочастотной сушки материалов и термические эффекты, возникающие в материале в высокочастотном поле из "Расчет и проектирование сушильных установок" Следовательно, в отличие от камерной конвективной сушки, При которой регулируются только температура и влажность на поверхности материала при сушке в поле высокой частоты создается возможность регул Ировать и поддерживать более высокую тем пературу и анутр И материала. [c.210] Высокочастотную сушку наиболее рационально применять для толстых материалов. [c.210] Оц и Эд — соответственно температуры в центре и на поверхности материала. [c.211] Это уравнение показывает что расход электроэнергии увеличивается с повышением М и уменьшается с увеличением толщины материала. [c.211] Применение токов высокой частоты позволяет во М нопих случаях значительно ускорить сушку материалов, однако этот способ требует значительных расходов электроэнергии (от 2,5 до 5 кет - ч на 1 кг испаренной влаги). [c.211] Все диэлектрики, которые практически следует рассматривать как полупроводники, обладают некоторой, хотя и незначительной, проводимостью, или активным сопротивлением, являющимся одной из констант, характеризующих данную материальную среду. Если электромагнитные волны распространяются через такую -ораду, то часть электромагнитной энергии будет этой средой поглощаться, причем -количество поглощенной энергии зависит от величины проводимости среды. Величина проводимости среды определяется возможностью перемещения ионов и электронов внутри диэлектрика, а величина поглощения — тем трением , которое сопровождает движение этих (ИОНОВ внутри молекулярной среды под действием электрического поля. В результате этого трения электромагнитная энергия переходит в тепло В полупроводнике, кроме свободных зарядов, имеются связанные заряды, которые можно схематически разделить на четыре группы. [c.211] Первая группа характеризуется явлением электронной поляризации. Например, поляризацию атома водорода под действием электрического поля можно объяснить как -смещение за(ряда я из-менение его орбиты, вследствие чего в атоме возникают как вы некоторая пара сил и соответствующий дипольный момент. [c.211] Вторая группа связанных зарядов соответствует атомной поляризации, которая наблюдается в твердых кристаллических элементах и соответствует смещению разноименно заряженных атомов. [c.211] Третья группа соответствует дипольной поляризации молекул. В молекуле водьи так же как и в других молекулах, атомы могут быть си(мметрич ными, а молекула может быть нейтральной и наоборот такая молекула также имеет дипольный момент. [c.211] Представим себе далее поведение дипольных молекул. Если левая пластина А конденсатора будет иметь положительный, а правая В отрицательный заряд, то диполи й и е будут стремиться занять горизонтальное положение, причем диполь с1 повернется по часовой, а диполь е — против часовой стрелки при изменении электрического заряда пластин конденсатора диполи должны вращаться то в одну, то в другую сторону и занимать соответствующее горизонтальное положение, стремясь следовать за полем, которое 2 раза в течение одного периода меняет свое направление на обратное. [c.212] Такое вращение диполей связано с молекулярным трением, и следовательно, на преодоление этого трения должна затрачиваться энергия, т. е. энергия электромагнитных волн будет переходить в тепло. Этот термический эффект в высокочастотно.м поле может достигать значительной величины. Кроме того, в упругом диполе е может при этом происходить смещение одних частей молекулы относительно других, что также сопровождается некоторым тепловым эффектом. [c.212] В результате тепловых эффектов, связанных с воздействием электрического поля высокой частоты на движение ионов, электронов, полярных и неполярных молекул, температура материала повышается, но так как при этом имеют место тепло- и влаго-обмен между поверхностью материала и окружающей средой и поверхность материала теряет часть тепла, ее температура возрастает медленнее, чем температура внутри материала в результате создается значительный температурный градиент между поверхностью и центральной частью материала. Величину этого градиента можно регулировать, изменяя напряженность электрического поля высокой частоты. Достоинством такого способа сушки является то, что в отличие, например, от сушки на го-рячей поверхности здесь влага из внутрен - их центральных слоев материала проходит расстояние, в 2 раза меньшее, равное только половине толщины материала. [c.212] Вернуться к основной статье