ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Механизмы протекания процессов ХОГФ из "Мир электроники технологии микроэлектроники Химическое осаждение из газовой фазы" При ХОГФ слои осаждаемых материалов образуются в результате сложных многомаршрутных и многостадийных гетерогенных химических реакций на границе раздела газ (пар, газоразрядная плазма) - твердое тело (подложка, пластина с покрываемым функциональным слоем), протекание которых определяется как процессами в газовой фазе, так и процессами на поверхности и в приповерхностных слоях подложки [2, 6, 8]. [c.74] Области газовой фазы и поверхности подложки, в которых протекают гетерогенные химические реакции ХОГФ слоев, могут быть объединены введением понятия реакционная зона . В общем случае толщина реакционной зоны составляет несколько атомных размеров от текущей границы осаждаемого слоя [20]. [c.74] Все изложенное можно представить в виде матрицы стехиомет-рических коэффициентов стадий, приведенной в табл. 6 [20]. В данном представлении процесс ХОГФ функционального слоя D описывается как сложная реакция, протекающая по трем параллельным маршрутам I, II и III, каждый из которых является многостадийным. Так первый маршрут (I) складывается из стадий 1 и 7, второй (И) — из стадий ], 5 и 6, а третий (III) — из стадий 2, 3, 4 и 6. [c.77] Таким образом, ХОГФ функционального слоя формулируется как задача химической кинетики многомаршрутной многостадийной реакции. В общем виде такая задача была решена в [21]. Для анализа конкретных реакций необходимо знание полного набора констант скоростей отдельных стадий, что представляет экспериментальную задачу большой сложности, но для ее решения можно использовать подходы теории кинетики гетерогенного катализа [20]. [c.77] Скорость гетерогенных многостадийных процессов определяется скоростью наиболее медленной (лимитирующей) стадии. Следовательно, для нахождения закономерностей и технологических характеристик процесса осаждения материала необходимо выявить в его механизме лимитирующую стадию и определить, как влияют на нее операционные (процессные) параметры и параметры уровня (состав и давление остаточной атмосферы, состояние внутри камерных поверхностей и т.д.). При этом следует учитывать возможные зависимости вероятностей и скоростей отдельных стадий от состояния поверхности подложки (степени и вида легирования, загрязнения, ориентации и т.д.). [c.78] Вернуться к основной статье