ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Классификация процессов ХОГФ функциональных слоев ИМС из "Мир электроники технологии микроэлектроники Химическое осаждение из газовой фазы" Способ прямой подачи жидкого реагента в реактор включает его нагрев в емкости, превращение в пар и подачу пара по нагретой линии в реактор. Этот способ исключает большинство проблем способа с использованием газа-носителя, легко количественно калибруется подача жидкого реагента, но скорость испарения жидкого реагента зависит от конструкции и материала емкости и испарителя (нагревателя). Чем выше температура испарителя, тем большее количество жидкого реагента может подаваться в реактор, но температура испарителя ограничивается термической стабильностью жидкого реагента. [c.29] По группе материалов, к которой относится осаждаемый слой, процессы ХОГФ подразделяются на процессы осаждения полупроводников, диэлектриков, металлов, силицидов и нитридов металлов. [c.30] К металлам относятся пленки вольфрама (W), титана (Ti), тантала (Та), алюминия (А1) и меди (Си). [c.30] К силицидам и нитридам металлов относятся пленки силицида и нитрида (WN) вольфрама, силицида (TiSi2) и нитрида (TiN) титана, нитрида тантала (TaN). [c.30] В неселективных процессах ХОГФ осаждение пленок происходит на всю поверхность подложки независимо от вида материалов на ее поверхности. Может только наблюдаться изменение в структуре пленок, например, пленки Sij Ge одновременно растут на участках монокремния как эпитаксиальные, а на поверхности двуокиси кремния как поликристаллические. [c.31] Алгоритм обозначения процессов ХОГФ, согласно предложенной классификации, приведен в табл. 1. Обозначения и химические формулы материалов функциональных слоев и реагентов, использующихся в процессах ХОГФ при производстве ИМС, представлены соответственно в табл. 2 и 3 [2—8]. [c.31] Вернуться к основной статье