ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Определение текстуры в тонких пленках и и поверхностных слоях массивных образцов из "Рентгенографический и электроннооптический анализ Издание 2" Направление [uvw] является кристаллографическим направлением, общим для всех кристаллов. Оно совпадает с нормалью к плоскости образца. В случае, если первичный пучок перпендикулярен плоскости образца, соответствующий круг среза в сферической проекции изобразится кругом 1. Здесь и дальше из-за малости угла д круги среза представляются большими кругами, т.е. кругами, проходящими чере центр сферы проекции. Для того чтобы круг среза пересекал области на сфере, соответствующие имеющимся ориентировкам, необходимо наклонить препарат по отношению к оси электронографа на некоторый угол ф (ось поворота MN). Тогда круг среза на сфере проекций займет положение 2 и на электронограмме возникнут кольца с симметрично расположенными текстурными максимумами. [c.251] Для определения индексов оси текстуры (см. работу 23) необходимо аналитически или графически найти угол р. [c.251] Затем по табл. 3 приложения или по известным из кристаллографии формулам (табл. 2 приложений), или с помощью стандартных сеток, зная индексы hkl), найти индексы оси [uvw]. [c.252] Графически угол р находят из полюсной фигуры. Для построения полюсной фигуры необходимо построить стереографическую проекцию круга среза 2 (рис. 137) и проекцию направления оси текстуры С (рис. 139). В качестве плоскости проекции чаще выбирают плоскость, параллельную поверхности плоского препарата (рис. 139, а). [c.252] Расположив сетку Вульфа так, чтобы ее полюсы находились на горизонтали, и наложив на нее кальку, наносят на большой круг положения начала и конца текстурных максимумов. Вращая полученные точки вокруг оси MN по широтам до круга среза (до меридианов, отстоящих на ф° от большого круга), находят выходы нормалей на круге среза. Так как текстура аксиальная, то эти выходы нормалей распространяют на весь круг проекций вращением около оси текстуры, т. е. вокруг точки с по окружности. Угол р в этом случае определяют как угловое расстояние от центра проекций до середины пояса текстуры. Графическое определение индексов оси текстуры выполняют так же, как в работах 23, 24. Если за плоскость проекций выбрана плоскость, параллельная оси текстуры, то полюсную фигуру строят в соответствии с рис. 139, б. [c.252] При идеальной текстуре с одной ориентировкой электронограмма имеет вид электронограммы для мозаичного монокристалла. В этом случае текстуру определяют так же, как ориентировку монокристалла по точечной электронограмме (см. Анализ точечной электронограммы ). [c.253] Может оказаться эффективной съемка электронограммы на отражение , При этом следует фиксировать направление прокатки. [c.253] При наличии нескольких ориентировок и значительного рассеяния текстуры целесообразно строить полюсные фигуры. Для этого так же, как при рентгеновском методе, необходимо снять серию электронограмм при различных положениях плоскости препарата к оси электронографа. Ось поворота удобно брать гтараллельно либо иерпендилярно направлению прокатки. Значение угла поворота можно выбирать, например, через каждые 15°. Съемка электронограмм при больших углах (более 60°) может оказаться затруднительной ввиду резкого снижения интенсивности, особенно в случае толстых образцов. [c.253] Вернуться к основной статье