ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Механизм атомизации и ионизации компактных непроводящих веществ из "Методы анализа чистых химических реактивов" Во время искрового разряда электроны высоких энергий (приблизительно 25 кэВ), лимитируемые из зонда при униполярном разряде, взаимодействуют с материалом компактного образца, в результате чего происходит атомизация и ионизация вещества пробы. В результате искрового разряда на поверхности образца образуется локальный отрицательный заряд. Удержание локального заряда, создаваемого электронами на поверхности диэлектрика или высокоомного компактного полупроводникового материала от кулоновского расталкивания, осуществляется магнитным полем, образуемого током разряда. [c.142] Решение системы уравнений (4.21, 4.22 и 4.23) относительно pi(0. ф2(0 и l(t) численными методами показывает, что поведение импульса разрядного тока во времени практически не меняется для образцов, сопротивление которых отвечает условию 10 Ом-см. [c.143] В период искрового разряда высоковольтные электроны осуществляют распыление образца, происходит образование многозарядных ионов, которые ускоряются и фокусируются в поле поверхностного отрицательного заряда, а после рекомбинации до одно- и двухзарядного состояния разделяются в магнитном анализаторе по массам и затем регистрируются на фотопластинку. После прекращения разряда поверхностный локальный заряд из-за кулоновского взаимодействия исчезает, а очередной разряд происходит на поверхность диэлектрика, свободную от электричеокого заряда. [c.143] Вернуться к основной статье