ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Энергия активации и зонная теория из "Физическая химия полупроводников" Как мы уже указывали (см. гл. II), спектры поглощения полупроводников позволяют отличить ковалентные кристаллы от ионных кристаллов. Всегда имеется какая-то предельная длина волны, ниже которой кристалл непрозрачен, и эта граница поглощения для кремния и германия находится по одну сторону видимой области (1,10 и 1,72 мк), а, например, для окисла цинка — по другую ее сторону (0,39 мк). Существование этой границы связано главным образом с поглощением фотонов при помощи фотоэлектрического эффекта, с созданием пары электрон—дырка и указывает на то, что этот эффект требует затраты минимальной энергии. [c.130] энергия в 1 эв соответствует границе поглощения, расположенной в инфракрасной области с частотой 0,24 X 10 сек. или , Ь. мк. [c.130] Довольно естественно было бы рассматривать эту энергию Е как энергию активации, которая, будучи сообщена электрону, связанному с атомом, освобождает электрон, оставляя на его месте дырку в электронном распределении атома. Например, один электрон кремния уровня Зр перейдет на свободный уровень 3 . В действительности же эта простейщая схема никак не применима к кристаллу, уровни энергий различных атомов в котором смешаны. Тогда и прибегают к энергетическим валентным зонам (связанные электроны) или к зонам проводимости (свободные электроны). [c.130] В 1951 г. Иоффе [118] заметил, что полупроводимость не связана со строгим кристаллическим порядком и предсказал существование стекловидных и жидких полупроводников, имеющих только ближний порядок. [c.134] Таким образом, можно сделать вывод, что в заданной структуре возможно простым способом получить приближенную величину энергии активации без явных ссылок на зонную теорию, исходя из природы основных имеющихся атомов и из длин связей (расстояния между атомами). [c.134] Вернуться к основной статье