ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Дефекты и примеси. Обозначение Риза из "Физическая химия полупроводников" Всем известна правильная и периодическая группировка атомов, характеризующая кристаллическое состояние, которую раскрывает рентгеновский анализ. Со дня открытия Лауэ часто проявлялась тенденция идеализировать эту структуру. Действительно в кристаллах всегда имеются дефекты концентрация их следует законам термодинамического равновесия и является функцией температуры. [c.33] Краткий обзор различных дефектов был недавно произведен Фриделем [22]. Скажем лишь несколько слов о первой категории, которая не имеет прямого влияния на малую электропроводность ионных и ковалентных кристаллов. На рассмотрении второй категории мы остано-ьимся дольше, так как именно эти дефекты чаще всего обусловливают полупроводимость, причем иногда они возникают от дефектов первой категории. [c.33] В случае полной занятости условимся всегда рассматривать в формуле число положений, соответствующих атому или грамм-молекуле. Это дает возможность считать их нижний индекс всегда равным единице. Тогда различные обозначения, например обычные химические символы атомов или ионов с принадлежащими им индексами, распределятся между этими положениями. [c.36] Наши краткие обозначения основаны на обозначениях, предложенных Ризом [29] положения обычные , анионов , катионов ф , положения межузловые А, области с введением электронов е и области пустот с распределенными электронами (на уровнях, близких к валентным) или на положительные дырки р+, ведущие себя, как положительный заряд по отношению к окружающим их электронам. Обозначение двойствен-но, т. е. каждая группа значков, занимающая какую-ли-бо категорию, из заданных положений пишется с наклонной чертой, сопровождаемой значком, обозначающим положение все это заключается в скобки. Значки и Л по определению свободны от всех нижних показателей и это начертание может быть использовано для различения их при обозначении маленькими буквами подкатегорий, например положения искусственные, положения тетраэдрические и октаэдрические компактных структур и т. д. [c.37] Употребляются такж и иные обозначения, например обозначения Шоттки (см. [5] стр. 38), но в нашей работе они не использованы. [c.37] Вернуться к основной статье