ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Получение монокристаллов карбида вольфрама и их свойства из "Карбиды вольфрама" Получение монокристаллов важно как с точки зрения необходимости фундаментального исследования свойств твердых тел (в данном случае можно получить наиболее достоверные данные), так и в практическом аспекте — для применения в полупроводниковой технике, квантовой электронике и других областях. Вследствие этого большое внимание уделяется разработке теоретических основ и технологических приемов выращивания монокристаллов [327—331]. [c.98] Для выращивания монокристаллов можно использовать процессы осаждения из газовой фазы, кристаллизации из расплавов или растворов кристаллизующегося вещества (соединения) в соответствующем растворителе. Во всех этих способах механизм роста кристалла, т. е.. механизм присоединения атомов питающей фазы к растущему кристаллу, подчиняется законам повторимого роста [331]. Между кристаллом и окружающей его средой всегда существует переходной слой, образующий физическую границу раздела. Все атомы или молекулы, переходящие из одной фазы в другую, некоторое время находятся в том слое, где проходят процессы, обусловливающие рост кристаллов. В переходном слое устанавливаются сложные химические равновесия, незначительные отклонения от которых приводят к резким локальным изменения . в кинетике роста, что указывает на определяющую роль параметров процесса. [c.98] Выбор метода выращивания монокристаллов (особенно для тугоплавких соединений) зачастую ограничивается [305] температурой плавления материала, его реакционной способностью, отсутствием соответствующих материалов кристаллизаторов или подложек, а также инконгруэнтным плавлением некоторы.х соединении. Это, в частности, относится и к получению монокристаллов карбидов вольфрама, в связи с чем данный вопрос мало освещен в литературе. [c.98] Вернуться к основной статье