ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Кристаллическая структура карбидов вольфрама из "Карбиды вольфрама" Атомы металла образуют плотную кубическую или плотную гексагональную упаковку и только в отдельных случаях — кубическую объемноцентрированную (КОЦ) и простую гексагональную. Число октаэдрических пор при плотной упаковке атомов в кристаллической решетке равно числу атомов металла. Атомы углерода, заполнившие октаэдрические поры, по взаимному расположению образуют такую же структуру, как и атомы металла. [c.12] Как следует из анализа диаграмм состояния системы —С, в них yп e твyют низкотемпературная модификация а- УС, высокотемпературная (З-ШС и ряд модификаций отличающихся параметрами кристаллической решетки (табл. 2). [c.12] По данным работы [41], низкотемпературная модификация монокарбида вольфрама а-ШС имеет простую гексагональную структуру. При этом атомы углерода занимают положения 1/3, 2/3, 1/2, а атомы вольфрама расположены по злам простой гексагональной решетки. Авторы работ [11, 31] на основании рентгеновских данных для этой фазы предполагали структуру типа никельарсенида ( Аз). [c.12] Киффером с сотрудниками показано [2], что а- УС имеет простую гексагональную решетку, расположение атомов вольфрама характеризуется координационным числом 8, в то время как атомы углерода заполняют шесть междоузлий (рис. 8). [c.12] Высокотемпературная модифпка- 0 углевод ция карбида вольфрама — фаза P-W — кристаллизуется в ГЦК ре-шетку [5, 6] и устойчива при темпера-турах выше 2525° С. Параметр кристаллической решетки ГЦ1 карбида вольфрама точно не установлен. В табл. 2 приведены его значения по данным различных работ. Расхождения в значениях параметра решетки весьма велики и превосходят погрешности измерений на существующей аппаратуре. [c.13] Согласно данным [46], период решетки 3-W близок к величине, получаемой экстраполяцией периода решетки твердого раствора Ti —W на чистый W . В работе [5] период решетки закаленного образца p-W равен 4,215 А, а по данным работы [6] он имеет постоянное значение (4,220 А), независимо от состава и температуры закалки. [c.13] В то же время в [47] указывается, что при наличии P-W в смеси a-W и P-W й=4,266 А, для чистого P-W а = 4,252 А, а для карбида, находящегося в смеси P-W и W2 , а=4,240 А. [c.13] Период решетки фазы, полученной прп зажигании электродов из a-W под слоем масла, равен 4,250 А [22, 23]. Однако для карбида p-W , полученного при электроискровой обработке твердых сплавов, период решетки оказывается намного меньше — 4,17 а [38]. [c.13] Возможность образопяния карбида вольфрама с кубической ГЦК решеткой доказана во многих работах. Однако из-за отсутствия достоверных сведений о чистоте получаемого продукта и точном содержании углерода опреде.лить наиболее вероятное значение периода решетки трудно. В табл. 3 приведены результаты инди-цирования рентгенограммы р-ШС. [c.18] Результаты нейтронографического исследования структуры a-Wz , приведенные в работе [55], не согласуются с данными работы [54]. На рис. 11 показана зависимость периода решетки a-Wa от состава по данным различных работ. [c.19] В работе [57] исследовалась возможность образования новой модификации полукарбида вольфрама. На рентгенограммах образцов, отожженных и закаленных при температурах 1000, 900 и 800° С, некоторые линии расщеплялись, что указывает на образование ромбической структуры, существующей при более низких температурах, чем a- V2 . Структура ромбического Wo отличается от структуры a-W2 (табл. 4) увеличенным интервалом расстояний W—W (расположение атомов в решетках W2 показано на рис. 12). [c.19] Вернуться к основной статье