ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Твердые растворы замещения и сверхструктуры из "Физикохимия неорганических полимерных и композиционных материалов" На поверхности элементарных полупроводников (Si, Ge, р-С) или металлов (Sb, Bi, Au, Pt) также существуют сверхструктуры, обнаруживаемые, в частности, методом дифракции медленных электронов [55]. Эти сверхструктуры в определенном температурном интервале характеризуются многократным превышением периодов ЭЯ над теми же показателями для объема кристалла. Они весьма чувствительны к структурным несовершенствам поверхности и адсорбции на ней посторонних атомов. На поверхности (100) ионных кристаллов (LiF, Na l) хотя и существуют заметные отклонения в межионных расстояниях от расстояний в объеме, сверхструктуры не обнаруживаются. [c.38] Строгая теория ТРЗ в настоящее время не разработана, по-видимому, ввиду того что энергия их образования иногда не превышает 1% от энергии кристаллической решетки. Образование определенного типа ТРЗ видимо, во многом будет определяться энтропийными факторами. Допускается, что растворы замещения образуются при близких размерах атомов, отличающихся не более чем на 15%. Однако известны случаи, когда даже атомы одинаковых размеров не образуют изоморфные системы. Отмечена ограниченная растворимость и при Лг 15%. Например, в системе MgO — aO (радиусы катионов равны соответственно 65 и 99 пм) при высоких температурах взаимная растворимость составляет лишь 10,8 и 3,1%. [c.39] Вернуться к основной статье