ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Точечные дефекты и электропроводимость кристаллов из "Физикохимия неорганических полимерных и композиционных материалов" В MgO (тип решетки Na I) ионы образуют гцк-упаковку— взаимопроникающие гранецентрированные подрешетки ионов магния и кислорода с их взаимной октаэдрической координа-цей (см. рис. 2.3). В решетке MgO образование катионных дефектов по Френкелю маловероятно, а анионные дефекты практически не образуются. Для нее характерно наличие дефектов по Шоттки. [c.35] В ромбоэдрической решетке а=А120з, где катионы занимают 7з октаэдрических пустот в условно гексагональной плотной упаковке О -ионов (см. далее рис. 3.14), более вероятно образование дефектов по Френкелю в /з свободных октаэдрических пустот. Итак, в рассмотренных тугоплавких оксидах наиболее распространены термически активированные дефекты по Шоттки дефекты по Френкелю являются исключением. [c.36] При повышенных температурах в оксидах возможны и сте-хиометрические нарушения, т. е. возникновение дефектов несте-хиометрии. При дефиците кислорода образуются вакансии для 0 -ионов, межузельные катионы и свободные электроны. Диоксид циркония при 1000 °С переходит в ZrOi,9- По данным измерения электропроводимости и чисел переноса при ро 10 Па он является полупроводником р-типа, а при ро 10 Па — п-типа. [c.36] Для стойких оксидов появление собственных электронных дефектов возможно лишь при высоких температурах из-за большого значения величины запрещенной зоны S.E 480 кДж/моль). Для технически чистых MgO и AI2O3 характерна проводимость с образованием либо электронных (п-тип), либо дырочных (р-тип) носителей заряда. Физика точечных дефектов и связанная с этим электропроводимость кристаллов подробно освещены в монографии [309]. [c.37] Вернуться к основной статье