ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Элементарные процессы роста кристаллов из "Введение в технологию полупроводниковых материалов" Бартон, Кабера и Франк показали, что в условиях равновесия с внешней фазой поверхности высоких индексов содержат ступеньки даже при 0° К, тогда как плотноупакованные грани с низкими индексами остаются гладкими без ступенек и изломов даже при достаточно высоких температурах, сравнимых с температурой плавления кристалла (в случае идеальных, не имеющих дефектов кристаллов). [c.255] Предположим, имеется кристалл произвольной огранки, помещенный в пересыщенный пар. Грани высоких индексов покрыты ступеньками с изломами, а плотно упакованные грани являются атомпо гладкими. [c.255] При соударении атомов, прибывающих из паровой фазы, с поверхностью кристалла часть их кинетической энергии рассеивается, а атомы попадают в поле действия сил связи поверхностных атомов кристалла и переходят в состояние адсорбции. В обычных условиях адсорбированные атомы располагают еще достаточным запасом энергии, чтобы передвигаться по поверхности. Каждый адсорбированный атом, прежде чем снова испариться или присоединиться к кристаллической решетке, проходит по поверхности средний миграционный путь Xs, который составляет несколько сот межатомных расстояний. Следовательно, при росте кристалла из паровой фазы вероятность непосредственного попадания атома из внешней среды в какую-либо определенную точку поверхности кристалла обычно мала по сравнению со скоростью попадания атома в эту же точку путем поверхностной диффузии. [c.255] При миграции по граням, на которых присутствуют ступеньки с изломами (число изломов порядка одного излома на каждые десять межатомных расстояний), часть атомов достигает ступенек, где энергия их связи с кристаллом увеличивается на С/о передвигаясь вдоль ступеньки, атомы достигают изломов и закрепляются в кристалле (3 Uq). [c.255] Число атомов, попадающих на атомногладкие грани, практически такое же они также адсорбируют и мигрируют по поверхности. Но не встречая ступенек, благодаря которым каждый новый атом устанавливает с кристаллом довольно прочные связи, они снова испаряются, и эти грани при малых пересыщениях не растут. [c.256] Вернуться к основной статье