ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Метод Вернеля из "Основы техники кристаллизации расплавов" Схема установки для выращивания монокристаллов методом Вернеля представлена на рис. XV- , б. При протекании процесса порошок кристаллизуемого вещества равномерно подается из сосуда 1 в центральную трубку водородной горелки 4. Регулирование подачи порошка осуществляется с помощью ударного или вибрирующего механизма 11. В первом случае регулирование подачи достигается путем изменения частоты или интенсивности ударов, а во втором — изменением частоты или амплитуды вибрации. [c.327] Одновременно с подачей порошка через штуцер 10 производится подача кислорода, а через штуцер 3 — водорода. При выходе из горелки кислородно-водородная смесь сгорает в камере 5, и происходит плавление поступающих из бункера твердых частиц кристаллизуемого вещества. Образующиеся мелкие частицы расплава струей направляются на поверхность огнеупорного стержня 6, на котором происходит их кристаллизация. В первой стадии процесса образующийся кристаллический нарост представляет собою поликристал-лическое образование. Однако по мере роста при определенном температурном режиме наблюдается преимущественный рост одного из кристаллических зерен, превращающегося в дальнейшем в монокристалл 9. По мере роста монокристалла опорный стол 8 с огнеупорным стержнем 6 перемещается вниз с помощью винтового механизма 7. [c.327] Выращенные монокристаллы имеют обычно форму бульки , хотя их форма может быть несколько видоизменена путем изменения температурного режима процесса. Так, сравнительно недавно была разработана технология получения монокристаллов рубина в виде тонких длинных стержней [89]. [c.327] В настоящее время метод Вернеля довольно широко применяется для выращивания монокристаллов корунда, рубина, шпинели, сапфира и др. [12, 460]. Этим методом были выращены также монокристаллы марганцевого феррита [80], никелевого феррита [70], окиси хрома [69], окиси бериллия [58] и других веществ. [c.327] ЛЯ вырапщвания монокристаллов полупроводниковых материалов метод Вернеля используется в несколько измененном варианте [9]. Вместо водородной горелки в данном случае для расплавления поступающего из бункера порошка используется кольцевой нагревательный элемент, расположенный около вершины растущего монокристалла. Нагреватель закреплен неподвижно. Монокристалл же по мере роста постепенно опускается так, что верхняя грань его все время находится на одном уровне. [c.327] Вернуться к основной статье