ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Кристаллизация при высоких скоростях охлаждения из "Основы техники кристаллизации расплавов" Процесс отверждения расплавов с низкими скоростями зарождения и роста кристаллов сильно зависит от интенсивности внешнего теплоотвода. При медленном охлаждении или так называемой изотермической кристаллизации расплав может полностью перейти в кристаллическое состояние. Если форма с расплавом при низких значениях и з и v охлаждается быстро, то расплав лишь частично отверждается. [c.111] Если самопроизвольного зарождения кристаллов при выбранном переохлаждении не происходит, то обычно в расплав вносят затравочные центры кристаллизации. Так как скорость фазового превращения в данном случае мала, то выделение тепла незначительно и его отвод не вызывает затруднений. При этом в процессе кристаллизации температура расплава в различных точках объема практически остается неизменной. В силу постоянства переохлаждения расплава линейная скорость роста кристаллов также остается неизменной во времени. [c.111] Если в объеме расплава при заданном переохлаждении происходит гомогенное зарождение кристаллов со скоростью w , то количество образующейся кристаллической фазы можно рассчитать по уравнениям (11,21) и (11,23). [c.112] В некоторых случаях зарождение центров кристаллизации происходит гетерогенно на охлаждаемой стенке формы. При этом, как правило, образуются столбчатые кристаллы, у которых направление главных осей перпендикулярно охлаждаемой поверхности. Тогда скорость движения фронта кристаллизации й/йт постоянна (при постоянстве переохлаждения) и практически равна линейной скорости роста кристаллов Такой рост кристаллов обнаружен при затвердевании расплава хлорофоса [180], у которого максимальная линейная скорость роста составляет около 0,12 мм/мин. [c.112] При интенсивном охлаждении расплавов с низкими скоростями зарождения и роста кристаллов температура расплава в форме непрерывно понижается и, следовательно, непрерывно изменяется также степень переохлаждения. В силу этого зарождение и рост кристаллов происходят при переменных скоростях Юз и v . Так как продолжительность процесса охлаждения определяется интенсивностью внешнего теплообмена и толщиной слоя расплава, то вещество в данном случае лишь частично переходит в кристаллическое состояние. Степень кристалличности при этом зависит как от кинетических параметров w. и v , так и от параметров охлаждения по сечению охлаждаемого образца она часто изменяется довольно сильно. [c.112] Вернуться к основной статье