ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Адсорбция ионов на поверхности диэлектриков из "Катализ новые физические методы исследования 1959" Если адсорбируюш,ийся ион приближается к поверхности кристалла вдоль линии, перпендикулярной к этой поверхности и проходящей через поверхностный ион с зарядом того же знака, что и его собственный заряд, то он будет испытывать отталкиг вание. Электростатическое слагаемое возникающих сил отталкивания также выражается уравнением (17), но направление дей ствия последних противоположно по сравнению с направлением сил, для которых было выведено уравнение (17). Участки поверхности, расположенные точно посередине между поверхностными ионами, не оказывают электростатического влияния на адсорбированный ион. Поэтому в пределах тех небольших расстояний, на которые распространяется действие электростатических сил, последние вызывают появление периодического не-однородного поля. Движение одиночного адсорбированного иона вдоль поверх ности может затрудняться наличием этих периодических различий в величине и направлении действующих сил. [c.35] Во всех рассуждениях, посвященных вопросу о механизме действия электростатических сил, использовалась идеализированная модель поверхности ионного кристалла, которая, как было указано в разделе IV, 2, получалась бы при разрезании кристалла идеально острой бритвой. Отсутствие в нашем распоряжении сведений относительно тех структурных особенностей, которые отличают поверхность кристалла от его объема, не позволяет сделать не только количественные, но и полуколи-чественные выводы о реальных энергиях адсорбции, обусловленных электростатическими силами. Можно утверждать только, что у большинства ионных кристаллов проявляется тенденция к образованию внешней адсорбирующей поверхности за счет отрицательных ионов, например ионов галоида и кислорода. Это явление будет снова упоминаться в дальнейшем (см., например, разделы V, 5 и VI, 5). [c.35] Второе ограничение, с которым связаны приведенные выше электростатические расчеты, состоит в том, что они применимы лишь к тем случаям, когда адсорбция происходит в центре кубической грани кристалла типа ЫаС1. Любое отклонение от этого условия может приводить к ловышению прочности электростатической связи. Углы и ребра кристаллов, другие кристаллографические грани, нарушения решетки и т. д, могут служить активными центрами , где происходит сравнительно сильная электростатическая адсорбция ионов. О проблеме активны центров будет упоминаться также в разделе V, 12. [c.35] Однако во всех тех случаях, когда КУ п1, вместо уравнения (21) следует применять уравнение (19). Такие случаи имеют место для всех галоидных солей и окислов металлов. [c.36] При адсорбции на плоских поверхностях ионных диэлектриков поляризация оказывает значительно большее влияние на энергию адсорбции ионов, чем электростатическое притяжение кулоновскими силами [31]. [c.36] Вернуться к основной статье