ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Условия осаждения продуктов реакций и прямого взаимодействия газов и паров с субстратом из "Температуроустойчивые неорганические покрытия" Вещества, используемые для химического осаждения, содержат компоненты, которые выделяются в результате термических реак- ций на поверхности субстрата и образуют покрытие. Процесс разбивается постадийно адсорбция- образование зародышей сформирование осадка. В отличие от физического осаждения (конденсации), когда образование зародышей усиливается с понижением температуры, химическое осаждение происходит, обычно, лишь пр повышенных или высоких температурах. При этом высокая концентрация реагентов может вызвать столь большое пересыщение, что образование зародышей будет происходить и в объеме газовой фазы. Частицы вещества, сформировавшиеся в газовой фазе, падают на подложку и включаются в нормально растущий осадок. Последний процесс часто нежелателен, так как приводит к образованию неоднородных и недостаточно плотных слоев, в особенности, если они имеют неметаллическую природу. Большое значение имеет степень нагрева поверхности. Плотные окисные покрытия получаются лишь в определенных температурных интервалах осаждения. Для АЬОз эта температура близка к 1000 °С, для ВеО — к 1400 °С и т. п. Благоприятным фактором является способность субстрата катализировать образование зародышей. А в общем же, следует всегда считаться с конкуренцией между заро-дышеобразованием на поверхности субстрата и в газовой фазе. [c.11] Кинетика и механизм реакций осаждения в различных условиях подробно рассмотрены в монографии [4]. [c.11] Прямое взаимодействие газов и паров с субстратом может происходить без образования зародышей и формирования осадка. [c.11] В условиях высокой химической активности газовой среды и субстрата адсорбция непосредственно завершается диффузией адсор-. бированных атомов в глубь изделия. Изучению этих явлений посвящены многочисленные исследования теоретические основы даны в работе [5]. [c.11] Вернуться к основной статье