ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Химический рост слоев из "Ориентированная кристаллизация" Еслп адсорбция сопровождается химическим взаимодействием с подложкой, то в этом случае атомы осадка не только испытывают ориентирующее влияние, но и сами воздействуют на поверхностные слои подложки. В результате такого взаимодействия возникает новая кристаллическая решетка химического соединения, связанная, однако, с матрицей. Адсорбция, сопровождаемая химическим взаимодействием, изучена Фан-сверсом и Тулом [126]. [c.191] Особенностью химического роста, в том числе и прп окислении, по сравнению с другими случаями эпитаксии является то, что после образования первого слоя химического соединения последующий процесс усложняется объемной диффузией. Для непрерывного роста необходимо, чтобы вещества подложк 1 ли второго реагента, либо и то и другое, продиффупдировали через слой уже образовавшегося химического соединения. Часто объемные изменения при образовании химических соединений настолько велики, что ориентированный рост наблюдается лишь в тончайших слоях, уступая затем произвольной ориентации кристаллов. [c.192] Как правило, при химическом взаимодействии ориентированное нарастание имеет место лишь при некоторых оптимальных экспериментальных условиях. По-видимому, совершенство ориентировки связано со скоростью реакции степень совершенства ориентировки увеличивается с уменьшением скоросги роста слоя. В частности, при взаимодействии галогенов с металлами слой соли ориентировано нарастает при малом содержании галогена в реакционной среде (так, при эпитаксии Ag l на серебре содержание I в воздухе должно быть 5%). Прп больших концентрациях реагента и при экзотермической реакции выделяется много тепла, скорость реакции увеличивается и в осадке наблюдаются кристаллы с произвольной ориентировкой. [c.192] Большой теоретический и практический интерес представляет группа явлений, связанных с разложением некоторых галоидных солей серебра в результате облучения, в частности прн образовании и проявлении скрытого фотографического изображения. Как показал Данков [127], механизм этого процесса зависит от ориентационной связи между кристаллами выделенного прн облучении металла (Ag) и матрицей (AgBr, AgJ ). На основании предпринятого рассмотрения Данков сделал ряд полезных качественных выводов и высказал предположение о природе некоторых явлений (эффект Гершеля, эффект Вейгерта). Однако вместо предсказанной им 45-градус-ной ориентировки кристаллов экспериментально наблюдается параллельная. [c.192] По Хьюгинсу [146], выделению металлического серебра в решетке солей (со структурой Na l) предшествует перестройка с образованием структуры типа ZnS. Эта точка зрения, однако, не получила подтверждення и при экспериментальном изучении процесса разложения никаких аномальных структур не было обнаружено. [c.194] Вернуться к основной статье