ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Эпитаксия металлов на слюде, кальците и на других кристаллах из "Ориентированная кристаллизация" Эпитаксия металлов на слюде (мусковите) изучалась в работах [88, 90, 127—129, 131 — 135] (табл. 29), на кальците — в работах [90, 127] (табл. 30). Во многих случаях наблюдаемая дифракционная картина интерпретировалась за счет нескольких ориентаций, зависящих от температуры. В табл. 30 А относится к направлению [001] кальцита, так как никакие другие плотно-упакованные ряды атомов двух решеток не параллельны. При эпитаксии металлов на слюде значения А очень высоки, если рассматривать сопряжение единичных элементарных ячеек. Однако сопряжение кратного числа ячеек серебра с одной ячейкой в плоскости скола слюды приводит к небольшим значениям Д (табл. 29). Данков с сотрудниками [129], изучая кристаллизацию серебра на слюде, сообщили о существовании наряду с ориентированным слоем кубического гранецентрированного серебра новой гексагональной модификации. металла. Этот результат в работах других авторов не подтвердился. [c.128] Из различных при.меров эпитаксии, представленных в табл. 31, необходимо обратить внимание на случаи ориентированного роста олова и германия на плоскостях скола (110) ZnS, исследованные Зегмюллером [136]. Олово на плоскости скола цинковой обманки уже при температурах (—14)-f-(+ 80)° С кристаллизуется в виде Монокристаллических слоев с двумя параллельными подложке ориентациями (320) и (301). При таких ориентациях элементарная ячейка Sn как бы повернута относительно поверхности на угол 33°С, при этом наблюдается некоторое, хотя и отдаленное, структурное подобие сопрягающихся плоскостей. При температуре подложки 80° С кристаллизация осуществляется через жидкую фазу и приводит к росту неориентированного осадка. Слои германия при кристаллизации на ZnS имеют монокристаллическую структуру уже при температуре 250° С. При этой температуре на других подложках германий обладает аморфной структурой. Последнее утверждение, однако, оспаривается Семилетовым [133], который наблюдал кристаллизацию в тонких слоя Ge на ZnS лишь при 370° С. [c.131] Аналогичное поведение наблюдается у кремния при температуре конденсации 500° С, но ориентация в это.м случае менее совершенная, чем у германия. На изотропных подложках Si остается аморфным до температур 600° С. [c.131] Вернуться к основной статье