ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Эпитаксия ионных солгй на кристаллах с другими типами связей из "Ориентированная кристаллизация" Мы уже приводили несколько примеров смещения фазовых равновесий при эпитаксии, когда ка монокристальной подложке при комнатной температуре осадок кристаллизуется с метаста-бильной (высокотемпературной) фазе. Этот процесс связан с известным явлением полиморфизма, когда данное вещество может существовать в нескольких кристаллических формах, отличающихся по своим физическим свойствам. В настоящее время можно указать 4 вида полиморфизма 1) температурный, 2) барополиморфизм, 3) концентрационный и 4) пленочный. Соответствующие обратимые полиморфные превращения вещества могут возникать при изменении температуры Т, давления Р, концентрации Xi компонентов или толщины L тонкой пленки. В некоторых случаях полиморфизм вызывается совместным действием двух или даже нескольких перечисленных параметров. [c.79] Появление метастабильных фаз при ориентированной кристаллизации тесно связано с полиморфизмом тонких пленок, однако оно не исчерпывается последним. Поэтому наличие новых фаз при образовании зародышей на кристаллической подложке целесообразно определить как эпитаксический полиморфизм, который можно рассматривать как частный вид пленочного полиморфизма. Накопленного экспериментального материала еще недостаточно, чтобы оценить раздельный вклад в механизм эпитаксического полиморфизма таких определяющих факторов, как роль кристалла-подложки и толщины пленки. [c.79] В 1950—1951 гг. Шульц обнаружил, что появление полиморфизма при эпитаксии свойственно группе веществ, имеющих при комнатной температуре структуру типа хлористого цезия [33, 34]. Результаты этого автора были затем подтверждены и дополнены Пэшли [22] и уточнены Людеманном [35, 36] и Каном [37]. [c.79] Увеличение температуры может вызвать переход у веществ со структурой s l к структуре Na l. Полиморфизм такого рода наблюдали Жемчужный и Рамбах(45], а затем Вагнер и Липперт [46] у s l при температуре 445° С. Явление полиморфизма обнаружено также у NH4 I и T1J [47]. [c.80] СОЛИ со структурой s l кристаллизуются в решетке Na l. В случае s l аномальная структура имеет место вплоть до комнатной температуры конденсации. Ниже приведены параметры решеток солей, обладающих аномальной структурой типа Na l в тонких слоях [50]. [c.80] В случае кристаллизации этих солей на подложке со структурой Na l кристаллы с аномальной решеткой образуются даже при комнатной температуре конденсации [33, 34] и в отличие от кристаллизации на аморфной подложке обладают строгой орп-ентировкой по отношению к подложке. [c.80] Примечание. I — наблюдаемая структура А — типа Na I. Б — типа sJ П — различие параметров решеток для структуры А, % UI — различие параметров решеток для структуры Б, %. [c.81] Чтобы получить дополнительные данные о поведении T1 I, его конденсировали на некоторые другие монокристальные подложки (KJ и КС ) и в обоих случаях в тонких слоях Т1С1 имел структуру типа Na l. Особое поведение эпитаксии Tl i/Na l по сравнению с кристаллизацией всех остальных солей типа s на монокристаллах со структурой Na l. отмечалось также Пэшли [22]. Он нашел, кроме того, что на КВг хлористый таллий также кристаллизуется в решетке Na l с параллельной ориентацией, однако всегда имеется небольшое количество кристаллов с нормальной структурой ( s l). [c.82] Во всех изученных случаях, когда осадок вырастал до такой толщины, что образовывались кристаллы с нормальной решеткой, помимо аксиальной текстуры, наблюдаемой Шульцем, они имели две равновероятные ориентации относительно подложки, а именно (ПО) [001] осадка (001) [ПО] нлн [ПО] подложки (рис. 27). Ориентировка, описанная Руайе (100) [010] осадка li (101) [010] подложки, при электронографическом изучении тонких слоев не наблюдалась. [c.82] Кроме плоскостей скола, Кап использовал в качестве подложек полированные и травленые монокристаллы с поверхностью, параллельной плоскости (ПО). При конденсации на них солей при комнатной температуре осадок имел нормальную структуру типа s l и произвольную ориентацию. Однако нагрев образна до 150—320° С вызывал переход к метастабильной структуре, имеющей параллельную ориентацию о носительпо подложки. [c.83] Полиморфный переход от структуры типа s l к структуре типа Na l при кристаллизации из раствора на монокристалле Ag наблюдался у s l и sBr [52]. [c.85] тем больше толщина монокристального слоя. Влияние структурной аналогии решеток на форму кристаллов, возможно, сказывается при эпитаксии LiF/Na l. Форма длинных, вытянутых г. одном направлении кристаллов LiF с орпентировкой (НО) [100] может быть объяснена тем, что параметры плоских сеток (ПО) LiF и (100) Na l значительно отличаются в направлении диагонали куба Na l и почти полностью совпадают в перпендикулярном направлении. Растущие кристаллы поэтому вытянута в направлении наилучшего согласования параметров. [c.86] Вернуться к основной статье