ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) из "Инструментальные методы химического анализа " На величину Есв ощутимо влияет химическое состояние атома, например степень его окисления (даже если электроны выбиваются с внутренних оболочек), так как оно влияет на эффективный заряд ядра. Следовательно, Есв зависит от молекулярного окружения атома (для многих элементов химический сдвиг достигает значений порядка 10 эВ). Так, например, сера (2=16) может давать фотоэлектроны с энергией связи от 160 до 168 эВ при нормальной величине энергии связи 2р-электро-нов 165 эВ. Некоторые значения химических сдвигов показаны на рис. 12-3 [4]. Аналогичные корреляционные диаграммы опубликованы для углерода и азота [4, 5]. [c.253] как и другие виды электронной спектроскопии, являются, по существу, методом анализа поверхности, поскольку выбивание электронов из атомов, отстоящих от поверхности образца более чем на 5 нм, маловероятно. Это позволяет применять метод РФЭС в целом ряде областей, связанных с исследованиями свойств поверхности. Но при исследовании образцов больших размеров метод РФЭС применим только в том случае, если поверхность отвечает составу всего образца. Поверхностный слой многих материалов можно постепенно удалять, бомбардируя образец, например, ионами аргона. Источники таких ионов иногда встраивают в ЭСХА-спектрометр. Это позволяет аналитику исследовать образцы послойно, каждый раз снимая электронный спектр после короткой обработки потоком ионов. Позже мы вернемся к этой возможности. [c.255] РФЭС можно применять к решению многих проблем установления структуры или идентификации веществ как в твердой, так и в газовой фазе (рис. 12-5 и 12-6) [6]. Другие примеры можно найти в литературе [2, 4—6]. [c.255] Вернуться к основной статье