ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Фоторезисты-диффузанты из "Светочувствительные полимерные материалы " Имеется взаимосвязь содержания источника легирования в композиции слоя диффузанта с создаваемой в результате диффузии его поверхностной концентрацией и глубиной перехода в полупроводнике. По грубой оценке, например, для малой глубины перехода в кремний (3—5 мкм) слой диффузанта должен содержать 5-10 атом/см фосфора для достижения поверхностной концентрации 10 атом/см . Для воспроизведения концентраций 10 атом/см при глубоких переходах (порядка 40 мкм) необходимо увеличить содержание фосфора в материале источника в 10 раз. Введением в композицию фоторезиста—диффузанта мономерных соединений с легирующими атомами достигаются низкие поверхностные концентрации легирующих примесей, а для создания высоких концентраций приходится обращаться к элементоргани-ческим полимерам в качестве пленкообразующей основы слоя. [c.198] Поскольку разброс поверхностных концентраций примеси на пластинах любой площади должен быть минимален во всем диапазоне концентраций от 10 до 10 атом/см то для достижения таких параметров существенна низкая летучесть первичного диффузанта, а затем и продуктов его термораспада она должна быть минимально возможной при повышенных температурах. Желательно, чтобы полимерный слой превращался при термоокислении в плотную пленку с выделением при этом минимального количества дыма и сажи. [c.198] В 1980 г. появилось сообщение о литографии и диффузии из фоторезистов, содержащих металлорганические соединения Си, Ва, Ti, 8т, Ей или смеси этих соединений [54]. [c.200] Разрещение структур не только на поверхности, но и в объеме полупроводниковых пластин достаточ[ю велико. Так, для прецизионной электронолитографии с субмикронными размера.мн элементов рельефа были разработаны типы электронорезистов, включающих элементорганические соединения с легирующими атомами (яп. заявка 49-34018, 49-34019). Вакуумный электронорезист для полностью сухой литографии [а. с. СССР 1056123] разработан на основе силсесквиоксанов (81Я)8- гЗЬ 012 (где Р = СН = СНо х = 0,5—1), его разрешающая способность 10 линий/мм, электронная чувствительность 5-10 Кл/см , при отжиге в диффузионной печи (30 мин, 400 °С) глубина диффузии атомов сурьмы составляет 1 мкм. [c.200] Вернуться к основной статье