ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Фоторезисты для коротковолнового УФ-света из "Светочувствительные полимерные материалы " Фотолитография в области глубокого (коротковолнового) УФ-света рассматривается в микроэлектронике как техника ближайшего будущего. Впервые этот метод был предложен в 1975 г. Линном, который использовал в качестве позитивного резиста ПММА [1]. Теперь круг таких материалов, так называемых резистов или белых резистов дополнен резистами для среднего УФ-света (270—320 нм) (например, позитивный резист и Х-159 [2] негативный резист НХ-303 [3]). Предлагается использовать композиции на основе разнообразных групп светочувствительных веществ. Эти композиции непрерывно совершенствуются и в связи с актуальностью разработки ведутся в разных направлениях одновременно. [c.177] Наряду с обычными свойствами резист для глубокого УФ-света долл ен не только хорошо поглощать свет в области коротковолнового УФ-света (210—270 нм), но и не иметь поглощения в более длинноволновой области. Последнее избавляет от необходимости решать сложную задачу фильтрации актиничного длинноволнового света в спектре источника экспонирования. Одновременно для экспонирования в этой области разрабатываются специальные методы и источники света [4], применяются экспмеркые лазеры [5]. Поскольку кванты света в коротковолновом УФ-свете несут примерно в 2 раза больше энергии, чем на грани видимой области спектра, то для сокращения энергозатрат и уменьшения нагревания слоев при экспонировании важно сильно повысить светочувствительность композиций по сравнению с обычными резистами. [c.177] Вернуться к основной статье