ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Рентгеновская литография из "Светочувствительные полимерные материалы " Поскольку в настоящее время не существует оптических систем для рентгеновского излучения, необходимо конструировать экспозиционные устройства для переноса изображения в масштабе 1 1 = Можно одновременно экспонировать всю подложку или использовать пошаговое экспонирование при этом не избежать необходимости решения некоторых проблем, например, повышения стабильности маски. [c.41] Наиболее узким местом всей системы рентгеновской литографии является маска [57]. Мембрана, имеющая рисунок микросхемы в виде слоя рентгеновского абсорбента, должна быть очень тонксй, сделанной из материала с низким атомным номером для сведения к минимуму абсорбции рентгеновского излучения, и одновременно должна обладать достаточной механической прочностью, чтобы сохранять все элементы рисунка. В большинстве случаев мембрана натянута на твердом ровном кольце, коэффициент термического расширения которого такой же, как и у кремния (см. рис. 1.22) Необходимо корректировать расстояние между маской и пластиной в зависимости от температуры, так как абсорбционный материал, образующий маску, и кремниевая пластина могут иметь разные коэффициенты термического расширения [58]. [c.41] В то время как при оптической литографии пропускание для прозрачной и непрозрачной областей различается на несколько порядков, для масок рентгеновской литографии достаточно отношение пропусканий около 10. Для достижения хорошей контрастности абсорбционный материал — золото — наносится слоем толщиной 0,1—1,0 мкм. [c.41] Одновременно с этим явлением при экспонировании наблюдается небольшое увеличение размеров, которое определяется фактором d[g в. Это увеличение может усложнить производство многослойных интегральных схем, однако в случае постоянного рисунка схемы при экспонировании каждого слоя оно постоянно, если при этом не наблюдается смещения меток совмещения слоев. [c.42] Вернуться к основной статье