ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы К вопросу выращивания монокристаллов ниобата лития С- Кузьминов, А. П. Тихонов, Р. А. Сакаев из "Химические реактивы и препараты Выпуск 29" Вопросам теории теплопроводности посвящен ряд работ [1—3], в которых полученные результаты сопоставляются с экспериментальными данными. В течение последних лет опубликованы работы [4, 5], рассматривающие влияние различного рода дефектов кристаллической структуры вещества на его теплопроводность. [c.246] Множитель является феноменологическим параметром. В работе [9]гпринято равным 45 для соединений типа . [c.247] Для структур типа алмаза или цинковой обманки 2 можно считать равным половине постоянной решетки. [c.247] Формула (3) использована для получения расчетных значений теплового сопротивления. [c.247] Полученные результаты, по-видимому, подтверждают правильность предположения о том, что пятифононные процессы в данном случае играют незначительную роль и ими можно пренебречь в сравнении с трехфононными нормальными процессами (сохранение квазиимпульса) и процессами переброса. [c.248] Для развития проводившихся ранее [1, 2] работ по исследованию термоэлектрических свойств полупроводниковых материалов мы исследовали указанные свойства на ряде тройных полупроводниковых соединений типа В содержавших в качестве компонента первой группы медь, четвертой группы — германий или олово и шестой группы — серу или селен. [c.249] Электропроводность измеряли при комнатной температуре четырехзондовым компенсационным методом на низкоомном потенциометре Р306 с применением гальванометра типа Ф18 с чувствительностью 1,5.10 а/мм. Образцы для измерения электропроводности имели вид параллелепипедов с размерами 15X4X5 мм. [c.250] Измерения теплопроводности проводили по методу Иоффе [4] с автоматической записью кривой охлаждения и с применением расчетного метода, предложенного Лискером [5]. [c.250] Результаты измерений и расчетов величины фактора добротности по формуле (1) приведены в таблице. [c.250] Из данных таблицы видно, что из четырех исследованных вешеств наиболее перспективным для термоэлектрических применений может считаться соединение СигЗпЗз, величина фактора добротности которого близка к значениям, полученным для теллурида висмута и некоторых других материалов, уже нашедших практическое применение [6]. [c.250] Следует отметить, что температурную область применения этих материалов можно оценить после измерений температурной зависимости термоЭДС, теплопроводности и электропроводности, что должно явиться предметом отдельного исследования. [c.250] Физика, 1, 176 (1962). [c.250] Д о б р у ш и н а. Химические реактивы и ИРЕА, 1964. стр. 302. [c.250] Настоящее сообщение является продолжением работы [1]. в которой была доказана принципиальная возможность выращивания монокристаллов ниобата лития. [c.251] Сейчас ведутся интенсивные исследования физических свойств этих кристаллов. Полученные результаты позволяют надеяться на возможность его применения в качестве модуляторов квантовых источников излучения, удвоителя частот и пьезодатчиков [2—5]. [c.251] Вернуться к основной статье