ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Электронная микроскопия из "Физико-химия полимеров 1978" В электронных микроскопах источником излучения служит катод, испускающий пучок электронов (электронный луч). Перемещению электронов в пространстве соответствуют колебания определенной длины волны, зависящей от ускоряющего напряжения. Современные серийные электронные микроскопы, работающие при ускоряющих напряжениях от 40 до 150 кВ , создают пучки электронов, с движением которых связано распространение электромагнитных колебаний с длиной волны 0,03—0,06 А. Следовательно, с их помощью можно исследовать структурные элементы размером от нескольких ангстрем до нескольких микрон. Разрешающая способность электронных микроскопов — несколько ангстрем (обычно от 3 до 20 А), рабочие увеличения от З-Ю до Ю . [c.76] Как и в световом микроскопе, в электронном микроскопе можно наблюдать увеличенное изображение объекта, которое, однако, нельзя рассматривать как снимок, сделанный простым фотоаппаратом. Для правильной интерпретации электронно-микроскопических снимков (изображений) необходимо знать законы взаимодействия электронов с исследуемым веществом. Методом электронной микроскопии исследуют очень тонкие слои вещества порядка 1000 А и меньше. Это могут быть очень тонкие пленки или срезы (получаемые при помощи ультрамикротомов). Структуру поверхности блочных материалов или поверхностей разлома исследуют с помощью метода реплик, т. е. прозрачных отпечатков с поверхности исследуемого образца. [c.77] Возникновение контраста на электронно-микроскопических снимках связано с различной рассеивающей способностью ядер разных атомов по отношению к электронному пучку. Атомы тяжелых металлов наиболее сильно рассеивают электроны, поэтому часто для увеличения контраста полимерных объектов их оттеняют тяжелыми металлами, такими, как хром, палладий, золото, платина и т. п. [c.77] Важным ограничением метода электронной микроскопии, является его статический характер, обусловленный трудностями приготовления образцов, и возможность существенных ошибок (артефактов) в определении структуры. [c.77] Этих недостатков частично лишены методы сканирующей микроскопии, существенное преимущество которых состоит в исключении стадии сложного препарирования образцов. Предельное разрешение сканирующего (растрового) электронного микроскопа составляет около 300 А, т. е. на порядок ниже, чем в просвечивающем электронном микроскопе. В последних моделях растровых микроскопов этот предел снижен до 20 А, С помощью растрового электронного микроскопа можно исследовать структуру поверхности объемных образцов или сколов. [c.77] Вернуться к основной статье