ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Термодинамика растворения кристаллов из "Физико-химическая кристаллография" Возникновение ямок травления на поверхности кристалла можно рассматривать как процесс образования зародышей (образование вакансионных зародышей). [c.403] Для расчета свободной энтальпии образования одного вакансионного зародыша АО используем модель, приведенную на рис. 15.8. Здесь изображена схематично ямка травления атомной глубины (двухмерный вакансионный зародыш) в виде цилиндра с радиусом г и высотой/1 на идеальной поверхности кристалла и на поверхности, нарушенной винтовой дислокацией. Для обоих вакансионных зародыщей необходимо подсчитать работу их образования. [c.404] Вернуться к основной статье