ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Нестехиометрические соединения из "Теоретические основы неорганической химии" Кристалл должен быть в целом электронейтральным, и поэтому, если имеет место недостаток катионов, некоторые из катионов решетки должны принять более высокие положительные заряды. Подобным же образом избыток ионов металла в решетке должен повлечь за собой присутствие свободных электронов. В каждом случае возникновение нестехиометрии связано с изменениями электронных свойств кристалла и обычно их можно легко наблюдать эксперимеитально. [c.96] Приобретают дополнительные положительные заряды. Эти более высоко заряженные ионы можно рассматривать как положительные дырки , и, как и в случае с захваченными электронами, тепловая энергия может сообщить им подвижность, и тогда кристалл станет полупроводником. Однако в кристалле типа (б) или (в) ток переносится электронами — это полупроводники п.-(нормального) типа, тогда как в кристалле типа (а) или (г) ГОК переносится положительными дырками , и поэтому кристалл называется полупроводником р-(положительная дырка) типа (разд. 4.9). [c.97] Как и следовало ожидать из энергетических соображений, рассмотренных в предыдущем разделе, найдено, что преобладают нестехиометрические соединения типа (а) и (б) с дефектами ио Шоттки. [Тип (в) требует дефектов по Френкелю, которые имеют значение только при малых отношениях радиусов, тип (г) связан, с более маловероятной возможностью нахождения анионов в промелсутках.] Отметим, что типы (а) и (г), в которых имеется недостаток катионов, встречаются только в случае катионов с переменной степенью окисления, что и следовало ожидать из-за необходимости присутствия более высоко заряженных катионов. [c.98] Вернуться к основной статье