ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Влияние процессов комплексообразования на полноту осаждения Маскировка из "Количественный анализ" Выше было показано, что влияние величины pH на осаждение трудно растворимых электролитов основано на уменьшении концентрации осаждающего иона вследствие связывания его ионами Н . Если это уменьшение так велико, что величина ПР осаждаемого соединения окажется не достигнутой, то осаждения не произойдет вовсе. [c.97] Но в уравнение произведения растворимости входит не только величина концентрации осаждающего иона, но также и осаждаемого. Если уменьшать концентрацию последнего в растворе путем связывания его в какой-либо малодиссоциированный комплексный ион, можно, очевидно, также сделать осаждение неполным или даже вовсе предупредить его. Для этого нужно, чтобы произведение концентраций соответствующих ионов в растворе стало меньше величины произведения растворимости осан даемого соединения. [c.97] Предупреждение осаждения каких-либо ионов путем связывания их в малодиссоциированные комплексы называется маскировкой. Маскировка широко применяется в аналитической практике. [c.97] Такая же маскировка мешающих тому или иному определению ионов широко применяется и в количественном анализе. Например, поскольку осаждение иона диметилглиоксимом проводится в щелочной среде, определению никеля должно мешать присутствие ионов Ре , образующих в этих условиях осадок Ре(ОН)з. Чтобы избежать образования этого осадка, осаждение ведут в присутствии достаточных количеств винной кислоты. Прибавлением винной (или избытка щавелевой) кислоты маскируют Ре также при определении и т. д. [c.98] Очевидно, маскировкой мы достигаем той же цели, что и при осаждении мешающего иона в виде того или иного трудно растворимого соединения, а именно настолько сильно понижаем концентрацию этого иона, что он данным реактивом не осаждается и потому определению не мешает. Однако маскировкой эта цель достигается несравненно легче и быстрее, так как в этом случае не нужно фильтровать раствор и промывать осадок все дело сводится лишь к прибавлению соответствующего маскирующего средства , например МаР, винной кислоты и т. п. Посмотрим теперь, от каких факторов зависит возможность маскировки того или иного иона. Здесь придется прежде всего отметить влияние тех же двух факторов, на которые указывалось при рассмотрении вопроса о влиянии pH на полноту осаждения, а именно величины произведения растворимости осаждаемого соединения и константы диссоциации продукта реакции, т. е. образующегося комплексного иона. [c.98] что чем больше величина произведения растворимости того соединения, осаждение которого мы хотим предотвратить, тем легче это сделать, так как тем меньше нужно понизить концентрацию связываемого в комплекс иона, чтобы величина произведения растворимости осадка оказалась недостигнутой. Наоборот, для предупреждения образования очень трудно растворимого осадка следует очень сильно понизить концентрацию соответствующего иона. [c.98] Кроме рассмотренных факторов, следует отметить также влияние избытка маскирующего средства. Чем больше его концентрация в растворе, тем сильнее понижается степень диссоциации комплекса, а значит, и концентрация связываемого иона. Например, расчет показывает, что при употреблении соответствующего уравнению реакции количества K N осадок AgJ при действии KJ должен выпадать. И только вследствие того, что фактически мы всегда прибавляем некоторый избыток K N, ион Ag оказывается замаскированным. [c.99] Вернуться к основной статье