ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Кристаллическое строение из "Полиэтилен, полипропилен и другие полиолефины" История изучения кристаллического строения восходит к XIX веку, когда математики, в том числе Бравэ, исследовали возможные варианты расположения точек в пространстве и способы их классификации. Было определено семь кристаллических систем, которые могут быть описаны в терминах кристаллографических осей (а, Ь и с), образующих между собой углы а, р и у, а повторяющаяся ячейка имеет соответствующие размеры по осям (а, Ь и с). Здесь а — угол между осями 6 и с, [3 — угол между осями а и с, и у — угол между осями аяЬ. Системы кристаллических решеток приведены в табл. 2.1. [c.39] Семь кристаллических систем образуют 14 различных видов (классов) нро-странственных решеток, известных как решетки Бравэ , которые показаны на рис. 2.1. Класс триклинных кристаллов и соответствующая им пространственная решетка имеют самую низкую симметрию, то есть у кристаллов подобного типа отсутствуют оси симметрии. Для триклинной структуры Класс моноклинных кристаллов имеет одну ось симметрии и характеризуется условиями а = Р = 90°, у 90° па Ь с.В этот класс входят две решетки Бравэ. Орторомбические реяютки имеют три взаимно-перпендикулярные оси и три плоскости симметрии характеризуется условиями а = р = у = 90° пач Ь с. Класс тетрагональных кристаллов имеет пять взаимно-перпендикулярных осей и пять плоскостей симметрии характеризуется условиями а = р = у = 90° а а = Ь с. Тригональная (ромбоэдрическая) решетка обладает семью осями симметрии плюс плоскости гексагональная — характеризуется 14-ю осями и плоскостями симметрии, кубическая — 22-мя осями. [c.40] Кристаллографические плоскости обычно обозначают, используя коэффициенты к, к и I уравнения (2.46). Сочетание (кМ) называется индексом Миллера плоскости. На рис. 2.2 показаны различные кристаллографические плоскости и их индексы Миллера. [c.40] Автор допускает неточность объемно-центрированная тетрагональная. — Примеч. науч. ред. [c.41] В последующие годы У. Л. Брэгг и его отец У. X. Брэгг независимо изучали кристаллическое строение ряда материалов путем измерения различных дифракционных пиков, с помощью которых определялись значения Эксперименты в основном проводили на монокристаллах для сохранения возможности определять относительную ориентацию кристаллографических осей. Для поли-кристаллических материалов подобные данные в лучшем случае возможно было получать, используя высокоориентированные образцы. [c.42] Дифракция электронов также может применяться для определения кристаллического строения полимера [22]. В 1925 г. Де Бройль [23,24] привел аргументы в пользу корпускулярно-волновой теории строения частиц. Он предположил. [c.42] В 1927 г. Дэвиссон и Гермер [25] исследовали поверхность никелевого кристалла с помощью бомбардировки электронными пучками и обнаружили, что пучки рассеиваются подобно рассеянию на кристаллической решетке рентгеновских лучей. Зная параметр решетки, можно с помощью закона Брэгга (2.5) рассчитать длину волны Де Бройля. Найденные величины соответствовали уравнению (2.6). Дифракция электронов, как и рентгеновская, может применяться для онределе-ния строения кристаллов. Данные, полученные из опытов по рассеянию рентгеновских лучей и дифракции электронов будут приведены в главе 3. [c.43] Вернуться к основной статье