ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Неядерные применения процесса разложения смесевых нитратных растворов для получения оксидных композиций, обладающих высокотемпературной сверхпроводимостью из "Плазменные и высокочастотные процессы получения и обработки материалов в ядерном топливном цикле - настоящее и будущее" В качестве сырья для получения композиции У-Ва-Си-О использовали нитратные растворы иттрия, бария и меди. Расчетный состав продукта соответствовал брутто-формуле композиции УВагСизОт-ж, где величина х определяется конкретным режимом плазменного процесса и режимами последующих операций изготовления изделий. На рис. 5.8 приведен энергетический спектр композиции УВагСизОу-ж, демонстрирующий расчетное и полученное соотношение компонентов. [c.264] В процессе экспериментов мощность плазменного реактора составляла 70 -Ь 90 кВт, исходная температура плазменно-воздушного теплоносителя 4000- 5500 К, расход раствора до 23 л/ч, концентрация иттрия, бария и меди были равны 11,8 г/л, 36,5 г/л и 25,3 г/л соответственно. Масса опытных партий дисперсного ВТСН-материала достигала 2,5 кг, энергозатраты — 35 4- 47 кВт ч/кг композиции. [c.264] Температура перехода в сверхпроводящее состояние была определена индуктивным методом. Температурные зависимости магнитной восприимчивости исследованных образцов представлены на рис. 5.10. Из графиков видно, что переход оксидной композиции У-Ва-Си-О в сверхпроводящее состояние происходит при температуре 95 К независимо от технологических параметров получения оксидного порошка плазменным методом и скорее всего определяется лишь параметрами процесса спекания. Ширина температурного перехода для каждой кривой не превышает 3 К. [c.266] Плотность критического тока, измеренная при 77 К в нулевом магнитном поле, составила 200 4- 300 А/см . [c.266] Прессование таблеток из висмутовой композиции проводили при давлении 500 МПа. Далее таблетки подвергали термической обработке при температуре 850°С в течение 200 и более часов. Полученные при этом образцы обладали достаточной однородностью. Основу образца составляла фаза В11дРЬо,бз8г2Са2СизОу ( 2223 ). Микрозондированием обнаружены кристаллические выделения смешанных купритов стронция и кальция. Критическая температура образца, определенная методом магнитного экранирования, составила 108 К при ширине перехода менее 6 К. [c.267] Вернуться к основной статье