ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Адсорбция на ионных кристаллах из "Радиохимия" Для процессов соосаждения микроконцентраций радиоактивного элемента особенно важной является адсорбция ионов радиоактивных изотопов на ионных кристаллах. [c.69] Первые работы по адсорбции ионов радиоактивных изотопов из растворов на ионных кристаллах позволили в 1913 г. Фаянсу связать степень адсорбции с растворимостью соединений, образуемых катионом радиоактивного изотопа с анионом осадка. Эти работы были развиты Панетом и в результате было сформулировано правило Фаянса — Панета, которое гласило Радиоактивный элемент, находящийся в растворе в виде катиона, тем сильнее адсорбируется выделяющимся или заранее образованным осадком, чем меньше растворимо соединение. [c.69] Однако это правило имеет много исключений. Например, ион изотопа свинца ThB не адсорбируется осадком галогенида ртути, несмотря на то что галогениды свинца — малорастворимые соединения. [c.69] В последующих работах Фаянса было установлено влияние заряда поверхности осадка на адсорбцию ионов из раствора. На основании работ Гельмгольца, Гун и Штерна об образовании на поверхности осадков солей, находящихся в растворе, двойного электрического слоя, Ганом был сформулирован закон Радиоактивный элемент адсорбируется на полярных кристаллах в том случае, если поверхность кристалла имеет заряд, противоположный знаку заряда иона радиоактивного элемента. При этом адсорбция идет тем сильнее, чем менее растворимо или диссоциировано соединение радиоактивного элемента с противоположно заряженными ионами решетки кристаллов . [c.69] Однако адсорбционный закон Гана не всегда соблюдается. Так, осадки AglOs, Ag2 204, AgsP04, полученные при эквивалентных соотношениях реагируюш,их компонентов, т. е. имеющие Незаряженную поверхность, все же адсорбируют ThB (см. табл. 3.1). [c.70] Было установлено также, что если адсорбируемые ионы обла-,ают сильными поляризующими свойствами, то они могут адсорбироваться даже на одноименно заряженной поверхности и, сле- овательно, на адсорбцию должен влиять размер ионов. Чем шньше размер ионов, тем больше адсорбция. [c.71] Адсорбция ионов на ионных кристаллах является сложным [роцессом. Согласно представлениям Фервея — Кольтгоффа — атнера, адсорбция на ионных кристаллах связана с образова-[ием двойного электрического слоя на поверхности кристалла и растворе. [c.71] К внешней оболочке двойного электрического слоя примыкает диффузный слой ионов. Строение двойного слоя у поверхности кри сталлов, например Agi, зависит от способа их получения. В случа образования Agi при избытке KI внутренняя обкладка двойной слоя содержит избыточные ионы 1 , внешняя обкладка и диффуз ный слой — ионы К . При избытке AgNOs на внутренней обкладк( двойного слоя находятся избыточные ионы Ag+, а на внешней и i диффузном слое — ионы МОГ-Микрокомпонент вовлекается наряд] с макрокомпонентом в процессы образования внутренней и внешней обкладок двойного слоя. [c.72] Все описанные виды адсорбции на ионных кристаллах имеют различную природу, подчиняются разным законам и зависят от различных факторов, которые целесообразно рассмотреть в отдельности. [c.72] Вернуться к основной статье