ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Методы определения критического потенциала осаждения радиоактивных элементов из "Радиохимия и химия ядерных процессов" Обычный метод определения потенциала осаждения, выделения или разряда путем снятия зависимости сила тока — напряжение или плотность тока —напряжение, как уже указывалось выше, неприменим для радиоактивных элементов. [c.131] В 1914 г. Г. Хевеши и Ф. Панет [3] заменили для крайне разбавленных растворов измерение плотности тока непосредственным измерением скорости осаждения радиоактивного элемента (метод Хевеши и Панета или метод разложения кривых второго рода). [c.131] Измеренное по отношению к электроду сравнения значение электродного потенциала, при котором скорость осаждения внезапно увеличивается, называется критическим потенциалом осаждения радиоактивного элемента фкр. Для сравнения потенциалов осаждения различных радиоактивных элементов значительно удобнее пользоваться этой величиной, чем критическим напряжением разложения, которое зависит еше от падения напряжения в растворе и на другом электроде. [c.131] Точность определения и экономия времени при измерении критических потенциалов осаждения по методу Хевеши и Панета значительно возросли благодаря применению прибора, сконструированного Ф. Жолио-Кюри [5]. [c.132] Таким же путем были определены критические потенциалы осаждения радиоактивных изотопов висмута и свинца. [c.133] Точность определения критических потенциалов осаждения по методу Хевеши и Панета невелика и составляет (0,02—0,03) в. Это объясняется, с одной стороны, неточностью графического определения величины критического потенциала (иногда довольно произвольным проведением касательной к кривым с неясно выраженным перегибом), с другой стороны, неустойчивостью потенциалов электродов (и катода и анода) во времени из-за необратимой поляризации на аноде. [c.133] В 1946 Г. Д. М. Зивом и Г. С. Синицыной [6, 7] был предложен метод сопряженных потенциалов (или внутреннего электролиза) для определения критического потенциала осаждения, позволивший устранить рассмотренные выше недостатки метода Хевеши и Панета. [c.134] Таким образом, в отличие от метода Хевеши и Панета (внешний электролиз) в данном случае мы имеем дело с разновидностью внутреннего электролиза. Простейшего вида ячейка для внутреннего электролиза показана на рис. 6-3. [c.134] Первое достоинство метода Зива и Синицыной заключается в значительно большей точности измерений за счет устойчивости во времени потенциала сопряженного и исследуемого электродов. [c.135] Вторым достоинством этого метода является более удачный способ нахождения точки перегиба, возможный лишь при условии обратимости исследуемого электрода. Для этого устанавливается зависимость скорости осаждения и растворения радиоактивного элемента от величины потенциала электрода. Тогда кривая скорость осаждения — потенциал пересекает ось абсцисс в точке, показываюшей значение равновесного критического потенциала осаждения. [c.135] В качестве примера на рис. 7-3 показана зависимость скорости осаждения (растворения) полония из 0,01 М раствора НС1 (концентрация полония 10 ° М) от потенциала золотого электрода. Найденное значение критического потенциала осаждения полония составляет, по отношению к нормальному водородному электроду, 0,617 0,002 в. [c.135] Недостатком рассматриваемого метода является неудобство изменения потенциала исследуемого электрода подбором различных окислительно-восстановительных систем. [c.135] Позднее Б. П. Никольский, Г. С. Синицына и Д. М. Зив [7, 8] предложили более совершенный метод, получивший название комбинированного. Схема установки для определения критических потенциалов осаждения по этому методу показана на рис. 8-3. [c.135] При работе по комбинированному методу используют тот же прием нахождения критического потенциала, что и в методе сопряженных потенциалов. [c.136] Точность определения критических потенциалов осаждения при использовании обоих методов составляет 0,002 в, т. е. примерно в 10 раз превышает точность метода Хевеши и Панета. [c.137] Вернуться к основной статье