ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Теория метода кривых термического высвечивания из "Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений" Теория метода кривых термического высвечивания, предложенная Рэндаллом и Уилкинсом (159, 160), основана на предложении, что повторные захваты электронов на акцепторных уровнях совершенно отсутствуют. При этом они считают, что в щелочно-галоидных фосфорах возбужденные электроны находятся на метастабильных уровнях самих центров свечения и только в фосфорах типа цинксульфидных акцепторные уровни пространственно отделены от центров свечения. [c.76] Такое уравнение получается для кривой термического высвечивания в предположении, что имеются уровни захвата только одной глубины и при условии, что можно пренебречь процессами повторного захвата электронов центрами захвата. [c.77] Здесь —температура, при которой достигается максимальная интенсивность свечения. [c.77] Изменение осуществляется весьма простым приемом. Перед нагреванием фосфору дают некоторое время высветиться при постоянной температуре. [c.78] При дальнейшем повышении температуры у начинает уменьшаться и при определенном соотношении между двумя множителями достигается максимум интенсивности термолюминесценции. [c.78] Приведенные выше соотношения получены в предположении, что процессы повторной локализации совершенно отсутствуют или ими можно пренебречь. Подобное допущение однако справедливо только для некоторых частных случаев. В общем случае вероятность процессов повторной локализации зависит от относительных концентраций незаполненных акцепторных уровней и ионизованных центров свечения, а также от их относительных эффективных сечений захвата. В определенных условиях вероятность повторной локализации должна быть большой. Подобные условия, оче-видцо, имеют место при слабом возбуждении и в заключительных стадиях затухания, когда число незаполненных уровней захвата велико по сравнению с числом ионизованных центров свечения. [c.78] Нетрудно убедиться в том, что учет процессов повторной локализации электронов должен повлечь за собой внесение существенных поправок в приведенные выше соотношения [164]. [c.78] Пусть N означает концентрацию центров захвата, ап — концентрацию ионизованных центров свечения или, что все равно, концентрацию электронов на уровнях захвата, если при этом пренебречь концентрацией электронов в зоне проводимости. [c.78] Лущик [170] ввел в рассмотрение для характеристики метода кривых термического высвечивания такие понятия как дисперсия, разрешающая способность и светосила. [c.80] Здесь Гг—тшпература на спадающей части пика термовысвечивания, при которой I = 0,5. [c.81] Из этого соотношения следует, во-первых, что дисперсия практически постоянна по всему энергетическому спектру и, во-вторых, что дисперсия растет при увеличении скорости нагрева. Этот вывод 1Юзволяет определить оптимальные условия для исследования малых изменений s. [c.81] Если пики имеют одинаковую величину, то разрешающую способность метода можно характеризовать величиной, обратной той минимальной разности s, которая еще может быть разрешена методом термовысвечивания, т. е. [c.81] Из (25. 3) следует, что разрешающая способность R зависит от величины е и скорости нагревания р. Разрешающая способность уменьшается при увеличении ё и увеличивается при уменьшении скорости нагревания. Следовательно, для получения высокой разрешающей способности надо выбирать малые скорости нагрева. [c.81] В работе Ч. Б. Лущика систематизированы и указаны критерии, позволяющие судить о соотношении вероятностей повторного захвата и рекомбинации. [c.82] Применение всех приведенных критериев к активированным щелочно-галоидным кристаллам свидетельствует, по данным Ч. Б. Лущика, что для этого класса кристаллофосфоров вероятность повторных захватов мала по сравнению с вероятностью рекомбинации. [c.82] Из других работ, посвященных вопросам теории метода кривых термического высвечивания, можно отметить работу Вильямса и Зйринга Пб2], хотя по полученным результатам б ней не содержится чего-либо существенно нового по сравнению с работами Рен- алла и Уилкинса [159, 160] и Антонова-Романовского 166]. [c.82] В работе 1162] теоретический анализ кривых термического высвечивания производится на основе теории абсолютных скоростей реакции, предложенной и разработанной Эйрингом для решения задач химической кинетики. За сравнительно короткое время своего существования теория абсолютных скоростей реакции вышла за пределы собственно химической кинетики и была применена к явлениям диффузии, вязкости, электропроводности и т. д. Указанную работу Вильямса и Эйринга по теории термического высвечивания следует рассматривать как пример применения теории абсолютных скоростей реакции к явлениям гермолюминесценции. [c.82] Вернуться к основной статье