ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Типы контраста в растровой электронной микроскопии из "Кристаллография рентгенография и электронная микроскопия" Наиболее универсальное значение имеют регистрация вторичных электронов и регистрация отраженных (или рассеянных обратно ) электронов. Те и другие электроны улавливаются коллектором, установленным возле образца, преобразуются в электрический сигнал, который усиливается и затем направляется к электронно-лучевой трубке, где он модулирует яркость электронного луча, строящего изображения на экране этой трубки (рис. 22.3). Кроме этих обязательных методов анализа современные модели РЭМ имеют (по крайней мере в виде дополнительной приставки) устройства для анализа рентгеновского характеристического излучения с помощью кристалл-анализаторов или бескристальным (энергетическим дисперсионным) методом. [c.554] Различия в использовании ВЭ и ОЭ как в отнощении разрешающей способности, так и в отношении механизма создания контраста, определяется, во-первых, различиями в их энергии, во-вторых, разной зависимостью их интенсивности от характера объекта. [c.554] Таким образом, только изображение во вторичных электронах дает высокое разрешение, более чем на порядок лучше разрешения светового микроскопа. [c.556] Механизм образования изображений во вторичных электронах и в отраженных электронах различен прежде всего из-за различия их энергий. Сетка коллектора (рис. 22.7) может иметь отрицательный потенциал, который запирает вход вторичным электронам. При положительном потенциале на сетке (100 В) вторичные электроны независимо от первоначального направления эмиссии движутся в направлении к коллектору, образуя бестеневое изображение объекта. При этом получаются изображения таких участков объекта, от которых нельзя провести прямую линию к коллектору (т. е. участков, которые должны бы находиться в тени , рис. 22.7). [c.556] Распределенйе яркости в изображении ОЭ для полированного и травленого однофазного и сложного объектов схематически представлено на рис. 22.10. В действительности контраст электронных изображений в РЭМ может оказаться более сложным. В формировании изображения участвуют в разной степени и ОЭ и ВЭ, контраст зависит от траектории движения ВЭ, на которую влияют и особенности рельефа образца, и распределение потенциала в камере объекта. От величины и распределения потенциала зависит и число электронов, эмиттируемых разными точками объекта. При этом особенно важным является усиление эмиссии на острых выступах образца (эти участки в изображении видны особенно яркими) и различия потенциала на поверхности объекта, обусловленные особенностями его электрических свойств, электрических свойств пленок и других веществ на поверхности объекта. [c.558] ТИЛ 5 %), и дают гораздо худшее разрешение ( ЮООА). Однако получаемая информация об объекте (особенно о кристаллографической ориентировке) в совокупности с информацией по другим видам контраста может быть очень важной. [c.559] Эффект каналирования заключается в появлении системы полос и более или менее четких тонких линий ширина полос и их расположение закономерно связаны с кристаллической структурой и ориентировкой кристалла. Картинам каналирования подобны линии Кикучи, поэтому их иногда называют псевдо-Кикучи линиями. [c.560] В случае достаточно больших монокристальпых объектов оказывается возможным судить о кристаллографической ориентировке объекта и о степени совершенства его решетки. В случае мелкозернистого поликристаллического объекта картина каналирования может не возникнуть, однако различия в ориентировках зерен проявляются в разной яркости изображений, как бы отвечающих отдельным элементам (полосам) картины каналирования. Поэтому для получения четких картин каналирования (пригодных для определения ориентировки монокристалла) или наилучшего кристаллографического контраста в изображении поликристаллического объекта надо позаботиться об отсутствии значительных искажений кристаллической структуры, которые могут возникать при подготовке поверхности объекта. В общем случае для определения ориентировки по картинам каналирования требуется индицирование полос. Однако возможно и прямое сопоставление экспериментальных картин с заранее построенными (теоретически рассчитанными) картами, которые в своей основе имеют гномо-пическую проекцию отражающих плоскостей, т. е. плоскостей почти параллельных направлениям падающего пучка электронов. [c.560] Ширина полосы соответствует 2 9 в б, причем след отражающей плоскости должен проходить посередине полосы. Если увеличение повышается, т. е. уменьшается интервал изменения угла при сканировании по меньшей площади так, что он оказывается меньше 2 в-б, то полосы не будет видно. [c.561] Магнитный контраст может быть двух типов контраст, обусловленный взаимодействием вторичных электронов с магнитными полями рассеяния возле поверхности объекта, и контраст, обусловленный взаимодействием высокоэнергетических электронов внутри объекта с его внутренним полем. Использование того или иного типа магнитного контраста зависит от типа магнитной структуры объекта (рис. 22.14). Контраст первого типа возможен только в случае магнитной структуры, показанной на рис. 22.14, а. [c.563] Под действием силы Лоренца происходит заметное изменение траектории электронов, если скорость невелика, т. е. вторичных электронов (рис. 22.15). Домены с противоположным направлением вектора индукции В будут иметь различную яркость Разрешение составляет обычно несколько микрометров. [c.563] Вернуться к основной статье