ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Циркуляторы из "Техника ЭПР-спектроскопии" В последнее время с целью исключения таких потерь вместо двойных Г-мостов, используют циркуляторы (см. 7). Двойной Г-мост используется также в балансных смесителях, в стабилизаторах Паунда (СВЧ-дискриминатор), в балансных переключателях и т. д. [c.111] Циркулятор является многополюсной необратимой системой, в которой СВЧ-мощность передается от данного плеча только к с.ледующему по направлению распространения [10]. Другими словами, сигнал, поданный на -е плечо циркулятора, снимается с (1 + 1)-го плеча. Кроме того, для каждого плеча циркулятор является согласованной нагрузкой [10, 32, 40]. [c.111] В результате Bi+i = -А I и волна, поданная в -е плечо, проходит в (1 -Ь 1)-е плечо. [c.112] Два типа циркуляторов [32]. [c.112] Таким образом, работа циркуляторов, показанных на фиг. 3.20, описывается одной и той же матрицей рассеяния. [c.112] Применение циркулятора в ЭПР-спектрометре. [c.113] На практике, если детектор является для линии согласованной нагрузкой, то А1 велико, А г мало, а Лд = 0. Однако детектор не всегда согласован с линией (см. следующий параграф и гл. 13, 3). [c.113] Потери, вносимые в линию циркулятором, очень малы они такого же порядка, что и в случае развязки. Величина потерь обычно указывается изготовителем. [c.113] В настоящее время применяется много типов циркуляторов У-циркуляторы [4,5], Х-циркуляторы [45], тетраэдральные [43] циркуляторы, использующие эффект Холла [15], коаксиальные циркуляторы [5], циркуляторы метрового диапазона [1, 2] и циркуляторы диапазона 70—140 Ггц [38]. [c.113] Поршни для прямоугольных волноводов [26]. а — с дроссельной канавкой б — трансформаторный тип. [c.116] Поршень на фиг. 3.25, а имеет сложный профиль передней части в виде отвернутой назад коаксиальной линии длиной kgl . Эта система отбрасывает короткое замыкание на передний конец поршня. Поршень па фиг. 3,25, б содернчит три четвертьволновых секции [26]. Настроечный поршень часто используется в детекторной секции для того, чтобы сдвигать максимум электрического поля к месту установки кристалла. [c.116] Вернуться к основной статье