ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Замедленность поверхностной диффузии из "Электрохимическая кинетика" Необходимо в отдельности обсудить различные виды замедленных стадий. Вначале нужно предположить, что вхождение ад-атомов в ступени роста (и места роста) и выход происходят совершенно беспрепятственно. Поэтому концентрация ад-атомов непосредственно у ступеней и при прохождении тока остается Сад = = Сад- Напротив, диффузия ад-атомов по поверхности и переход ад-атомов через двойной электрический слой должны протекать замедленно. Вновь необходимо рассмотреть параллельные ступени роста на расстоянии друг от друга 2х , как это должно быть при спиральном росте. [c.355] Здесь [J, тоже комплексная величина. Дифференцированием уравнения (2. 474) и подстановкой полученного выражения в уравнение (2. 473) можно подтвердить выполнимость последнего. Одновременно можно вывести приведенное уравнение для ц,. Концентрация с (ж, I) колеблется с круговой частотой ш = 2л/ вокруг равновесного значения с с амплитудой, зависящей от места х, и со смещением по фазе. [c.356] Это выражение аналогично по форме и идентично выражению, которое было получено Лоренцом Так как величина согласно уравнению (2. 474), имеет комнлексное значение, то и импеданс кристаллизации Zк представляет собой комплексную величину. Хотя разделение на реальную и чисто мнимую части и возможно, но это приводит к довольно сложным выражениям. Поэтому это разделение не нужно проводить полностью, только уравнению (2. 477) необходимо придать более наглядную форму. [c.357] Так как, с другой стороны, = 1/Яо, т. е. [c.358] Функцию th (а -f ] b) можно разделить на реальную и мнимую части с помощью теоремы сложения с учетом того, что th (/, Ь) = = tg 6. [c.358] Условие (O /с означает, что частота настолько мала, что концентрация ад-атомов повсеместно может принять почти стационарное значение. [c.358] При (O /с концентрация ад-атомов уже не может следовать изменениям тока и потенциала, так что на любом участке поверх-лости (О ж 2жо) остается равновесная концентрация с. Поэтому ток обусловливает равномерное по всей поверхности распределение перенапряжения перехода, для которого справедливо уравнение (2. 74). [c.358] При этих условиях поверхностная диффузия и глубина ее проникновения Хо настолько велики, что концентрация ад-атомов повсюду остается очень близкой к равновесной концентрации и поэтому и здесь возникает только перенапряжение перехода. [c.359] Вернуться к основной статье