ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Диффузия точечных дефектов из "Высокотемпературная кристаллизация из расплава" Существование иона типа А10+ в парах над поверхностью кристалла подтверждено масс-спектрометрическими исследованиями. [c.81] При концентрации Со = Ю ат. %, Ажф = 3 10 см (то есть эта величина весьма мала). [c.81] Таким образом, взаимодействие диффундирующих в монокристаллах собственных дефектов, типа дефектов Шотки, с примесными ионами существенно меняет картину диффузии. Точечные дефекты захватываются примесными ионами, образуя устойчивые центры. Примесь в этом процессе играет роль ловушек. [c.81] При изучении диффузии точечных дефектов существует два взаимодополняющих подхода. В первом случае учитывается влияние нарушений кристаллической решетки, а во втором — влияние кристаллической решетки на состояние дефектов. При этом симметрия играет центральную роль (при классификации как собственных, так и несобственных дефектных состояний). Совокупность элементов симметрии, присущих любой точке кристаллической решетки, образует группу симметрии, которая позволяет упрострггь решение задачи, если использовать теорию групп. Эксперимен-тальнью методы определения симметрии дефекта основаны на определении его анизотропных характеристик путем поляризованного возбуждения, либо с помощью различного рода воздействий, например, механических (одноосное сжатие), а также магнитными, электрическими, световыми полями. Во всех случаях возбуждения информацию о симметрии дефекта дает расщепление вырожденных уровней. [c.81] Наличие указанных полос поглощения в с1шьной степени зависит от атмосферы кристаллизации. Эти полосы практически не наблюдаются при кристаллизации на воздухе и в инертной атмосфере, а проявляются при кристаллизации в вакууме или в атмосфере водорода. [c.83] Характерно, что аналогичное поведение наблюдается и при исследовании температурной зависимости изменения веса образцов (см. рис. 8). То есть аналогичный характер изменешш двух разных по своей природе физических величин (появление полос поглощения и изменение веса образцов) в зависимости от атмосферы кристаллизации позволяет считать, что наводимое УФ-излучением поглощение связано с образованием в монокристаллах точечных дефектов за счет испарения одного из компонентов кристаллизуемого вещества. [c.83] В работе [28] был предложен метод электродиффузии, позволивший выделить области, обладающие повышенной стойкостью к ультрафиолетовому облучению. Для этого к образцу при температуре 1200 °С прикладьшалось напряжение ( 100 В) (рис. 57). Оказалось, что вблизи отрицательного электрода образец обесцвечивался, а вблизи положительного наблюдалось усиление коричневой окраски. [c.83] Таким образом, приведенными результатами доказано, что в области прозрачности лейкосапфира (то есть в области частот, находящихся выше края фундаментального фононного поглощения) попадают частоты колебаний, обусловленные точечными дефектами. Образование этих дефектов, согласно характеру электродиффузии, вызвано потерей ионов А1 + при кристаллизации в вакууме или в восстановительной атмосфере. [c.84] Вернуться к основной статье