ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Химические процессы, сопровождающие кристаллизацию из "Высокотемпературная кристаллизация из расплава" Известно [18], что к лимитирующим кристаллизацию факторам относятся факторы как физической, так и химической природы химхгческие реакции синтеза исходного вещества, термическая диссоциация, взаимодействие кристаллизуемого вещества с материалом контейнера и с атмосферой кристаллизации и другие. Их интенсршность определяется диффузионным переносом вблизи фронта роста. [c.21] Результаты этих расчетов приведены ниже. Они также свидетельствуют о налтии в расплаве оксида алюминия комплексных ионов. [c.22] Таким образом, расплав оксида алюминия состоит преимущественно из комплексных АЮ+, АЮ и элементарных ионов А1 +. Так как упругость пара ионов А1 + при температуре плавления оксида алюминия (2050 °С) высока, то вероятно еще и преимущественное испарение ионов А1 +, что, естественно, приводит к нарушению стехиометрического состава расплава и, как следствие, к возникновению концентрационного переохлаждения [27]. [c.23] Таким образом, в условиях нарушенного стехиометрического состава расплава (то есть, по существу, в условиях кристаллизации из раствора в расплаве) важное значение приобретает диффузия отдельных компонентов вещества к фронту роста [29]. Очевидно, что если скорость роста превышает скорость диффузии, то из-за концентрационного переохлаждения образуется зонарное распределение избыточных компонентов (рис. 12). В этих условиях скорость диффузии становится лимитирующим кристаллизацию фактором. [c.24] На рис. 13 приведена зависимость коэффициента диффузии от температуры расплава, согласно которой коэффициент диффузии изотопа иона А1 возрастает с повышением температуры. Эта зависимость позволяет считать, что степень влияния диффузионных процессов на кинетику кристаллизации с повышением температуры расплава уменьшается. В таких условиях скорость выращивания монокристаллов должна возрастать. [c.25] Вернуться к основной статье