ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВА ТП-НИТРИДОВ из "Квантовая химия в материаловедении" Широкое применение Ш-нитридов в качестве материалов полупроводниковой техники, электронной промышленности, химического приборостроения, для изготовления конструкционной керамики общего и специального назначения, в производстве твердых, износостойких материалов, абразивов, защитных покрытий и т. д. [1—4] обусловило развитие новых методов их получения (обзоры [3—18]), которые позволяют эффективно регулировать функциональные свойства нитридов путем направленной модификации их структурного и химического состояний. Синтезируемые при этом системы (в том числе в неравновесных условиях — например, в виде тонких пленок, покрытий, гетероструктур [12—14, 17,18]), включают большое число разнообразных дефектов, отличающих характеристики получаемого материала от свойств идеального кристалла. Очевидна роль дефектов в формировании эксплуатационных параметров многокомпонентных нитридных систем — керамик, композитов [2, 3, 9,16]. [c.34] Естественно, что направленный синтез новых нитридных материалов требует ясного понимания природы и механизма формирования их функциональных характеристик во взаимосвязи электрош1ое строение — состав — структура — дисперсность — свойства. Решение указанных задач оказывается возможным на основе современных вычислительных методов и моделей квантовой химии твердого тела, позволяющих из первых принципов уверенно моделировать новые, более сложные системы с учетом всего многообразия факторов, определяюнщх состояние реальных материалов [19—23]. [c.34] В данной главе будут рассмотрены возможности и перспективы квантовохимических методов в описании и прогнозе свойств Ш-нитридов в зависимости от содержания и типа дефектов, наиболее часто присутствующих в материалах на основе нитридных фаз. [c.34] Вернуться к основной статье