ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Улучшение свойств резистного слоя из "Светочувствительные полимерные материалы" Предэкспозиционная термообработка. После нанесения композиции на подложку слой сушат при температуре ниже 100 С. В результате предэкспозици-онной термообработки (сушки) не только удаляется растворитель, ио и повышается адгезия слоя к подложке. Поскольку хинондиазиды термически разлагаются, а НС могут уплотняться при повышенных температурах [41], режим сушки оказывает влияние на результаты всех последующих обработок и на свойства рельефа. [c.85] Температура 30 °С предельно допустима Для хранения эфира в течениё года, хотя другие неблагоприятные факторы могут этот срок сократить сушку желательно проводить при температуре не выше 80 °С. В а. с. СССР 792204 предложен метод установления срока годности фогорезиста, основанный на определении скорости термолиза образца в заданных условиях. [c.86] Вводят [европ, пат, 0050802] в композицию метилольные замещенные бисфенола А, /г-крезола и др. в результате термолиза, протекающего после проявления, резко улучшаются механические свойства слоя. [c.86] Эффективными отверждающими рельеф агентами являются соли сульфо-или карбоновых кислот дназонафталинона. Их наносят на проявленный слой, затем систему прогревают 20 мин при 210 °С в атмосфере азота и промывают водой. Рельеф гораздо лучше защищает подложку при плазменном травлении, чем термообработанный без наружного покрытия [пат. США 4125650. [c.86] Вводят в обычную композицию позитивного фоторезиста (15—25 % диазида, 65—85 7о НС) 6—10 % от массы компонентов слоя продукта кислотно-катализируемой конденсации 2,4-ди- или 2,4,6-, 2,3,4-, 2,4 4 -три- 2,3,4,4 -тетра-гидроксибензофенона и формальдегида [пат. США 4275139 пат. ФРГ 2847878] добавка гидроксибензофеноновой смолы повышает светочувствительность на 76 %, при этом другие параметры слоя не ухудшаются. [c.88] Образовавшиеся при фотолизе хинондиазидов замещенные инденкарбоновой кислоты способны при нагревании декарбоксилироваться, участки слоя с введенными в иего производными индена теряют способность растворяться в щелочах. Тем самым создается возможность обращения материала — превращения позитивного слоя в негативный. Модификация обработок слоя позитивного хииоидиазидного резиста для создания негатива позволяет получить лучшее разрешение и меньшее число дефектов в негативе, чем в случае слоя на основе собственно негативных резистов. Кроме того, позитивные фоторезисты менее чувствительны к кислороду, чем негативные, что упрощает технологию. Наконец, использование обращаемой системы избавляет от необходимости иметь запас реактивов и материалов для различающихся по материалам и обработкам собственно негативных и позитивных композиций. [c.89] Если к нафтохинондиазидному фоторезисту добавить бисазид из групп применяемых в композициях для коротковолнового УФ-света (см. гл. VI), к общая светочувствительность системы падает. Однако при малых экспозиция создается позитивный, а при больших — негативный рельеф, термостойкий д( 200 °С, и более стойкий к плазменному травлению, чем слой без добавки бис азида [46]. [c.90] Вернуться к основной статье