ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Физико-химические основы, приемы и процессы литографии из "Светочувствительные полимерные материалы" Настоящая глава посвящена физическим и физико-химическ им основам создания рельефных изображений в слое резиста с учетом возможностей техники литографии будущего, которая позволит получить в щироком масщтабе структуры субмикронных размеров. Достижение субмикронных размеров элементов необходимо прежде всего для использования литографии (в этом случае микролитографии) в микроэлектронике, в отличие от применяемой в полиграфии (макролитография), где требования к разрещающей способности существенно ниже [1]. [c.15] Технологические процессы литографии включают как физические, так и химические обработки. Их взаимное влияние на образование конечного рельефа часто является решающим для определения допустимых отклонений размеров изобрал аемых элементов. С у еньщением минимального размера элементов схемы снижается и абсолютное значение допустимого отклонения. Согласно эмпирическому правилу допустимое отклонение составляет 20 % размера минимального элемента. [c.15] Вернуться к основной статье