ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Физико-химические свойства из "Неорганические люминофоры" Сульфиды цинка и кадмия — соединения очень медленно гидролизующиеся во влажном воздухе. Разложение сильно увеличивается при совместном действии влаги и возбуждающего люминесценцию излучения (ультрафиолетового, катодного или радиоактивного). Щелочноземельные сульфиды очень сильно гидролизуются во влажном воздухе. Селенид цинка также подвержен действию влаги и кислорода, особенно при освещении сильно поглощающимся излучением (ультрафиолетовый и синий свет) при этом желтый порошок селенида цинка приобретает красноватую окраску за счет выделения свободного селена. [c.32] Все халькогениды заметно окисляются при нагревании в присутствии воздуха. Температура начала окисления сильно зависит от размера и состояния поверхности частиц порошка. Начиная с 550°, люминофоры из сульфида цинка заметно окисляются с образованием сульфата, хотя спад интенсивности свечения начинается после прогрева уже при 380—450°. Окисление при температуре выше 800° идет до окиси цинка. [c.32] Сульфид цинка может растворять в себе значительные количества гексагональной окиси цинка —до 1—1,5%. При введении в твердый раствор 0,7% окиси цинка параметр кубической решетки уменьшается от 0,54093 до 0,54065 нм (от 5,4093 до 5,4065 А) [3]. Растворимость кислорода в селениде цинка не пре-вьппает 0,1% при 1000° [10]. [c.32] Как следует из рис. 11.1, при 1000° давление пара сульфида цинка ничтожно, тогда как у теллурида кадмия — -10000 Па (нескольких десятков мм рт. ст.). Фазовые диаграммы бинарных систем халькоген — металл изучены недостаточно наиболее подробные данные имеются лишь для теллуридов кадмия [12] и цинка [13]. Для остальных халькогенидов (кроме сульфида цинка) получены кривые ликвидус [14, гл. 2]. Все халькогениды заметно растворяются в исходных компонентах. Так, растворимость селенида цинка в цинке достигает 0,1% при 1000° и —1,0% в расплаве селена [15]. [c.33] Растворимость компонентов в твердом соединении (границы солидуса) определена только косвенно (по данным о высокотемпературной электропроводности). Так, у СаТе отклонение от стехиометрии возможно в обе стороны, а ширина области гомогенности его при 1000° составляем 10 ат. % [16]. По данным масс-спектрометрического анализа отклонение от стехиометрии в Те может достигать нескольких атомных процентов [17]. Отклонение от стехиометрии у 2пТе возможно только в сторону избытка теллура, растворимость которого достигает 4,6-10 ат. % при 1200° [18]. [c.33] При обычных условиях синтеза люминофоров все халькогениды содержат значительное количество точечных дефектов. Разупорядоченность кристаллической решетки неизбежна с термодинамической точки зрения. Сведения от степени разупорядоченности и природе дефектов получены в основном косвенными методами — путем анализа результатов изучения электропроводности и данных о самодиффузии в халькогенидах цинка и кадмия. [c.33] Вернуться к основной статье