ПОИСК Статьи Рисунки Таблицы Влияние кристаллической структуры из "Электрохимия алмаза" Рассмотрим некоторые тонкие эффекты, которые вносят в импеданс алмазного электрода особенности его кристаллической структуры. [c.36] В то же время у относительно толстой ( 0,4 мм) пленки наблюдается значительное, на порядок величины, различие в концентрации акцепторов в ростовой и нуклеативной областях, причем это различие лишь отчасти объясняется различием в концентрации бора. По всей вероятности, оно связано с кристаллическим несовершенством тонкого слоя алмаза, образующегося на начальной стадии роста многочисленные дефекты структуры могут, наряду с примесными атомами бора, играть роль акцепторов. [c.37] В то же время на ростовой стороне, где кристаллиты достигают размера 60 мкм, структура алмаза гораздо более совершенная, и концентрация структурных дефектов (связанных, в частности, с межкристаллитными границами) значительно ниже. [c.37] В заключение этого раздела отметим, что недавно были впервые использованы в качестве электродов монокристаллы алмаза, выращенные при высоких температуре и давлении (НТНР), см. главу 2 [66, 111]. Характеристики их спектров импеданса, как уже упоминалось, качественно близки к характеристикам тонкопленочных электродов (см. табл. 3). [c.39] В целом, с помощью электрохимических измерений хорошо выявляется известное из литературы [37] секториальное строение кристаллов алмаза, выращенных при высоких температуре и давлении. Действительно, наблюдаемые различия в электрохимических свойствах (импеданс, а также кинетические параметры) отдельных фаней с различной кристаллофафической ориентацией объясняются прежде всего различием в концентрации акцептора (бора) в секторах роста, связанных с этими фанями, что в свою очередь связано с различной способностью фаней захватывать бор в процессе синтеза. Очевидно, что для выявления более тонких эффектов (таких как влияние на электрохимические свойства фаней поверхностной атомной плотности алмаза и др.) необходимо сравнивать фани с разными индексами при постоянной концентрации бора, используя для этого разные кристаллы. [c.40] Вернуться к основной статье